"213\

0 4 8 12 16 20 24 Ik, A

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

3 1к,А

Зависимость модуля коэффициента передачи от тока коллектора.

%8 1,0 1,4

<о 1,2 I

0,6 0,4 0,2

О 4 8 12 16 20 24 1к,А

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

1200 1000 800 600 400

гоо о

60 Ukb,B

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база.

2Т957А, КТ957А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п высокочастотные генераторные.

Предназначены для применения в линейных щирокополосных усилителях мощности в диапазоне частот 1,5-30 МГц при напряжении питания 28 В.

Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми Ьводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 15 г.

Электрические параметры

Выходная мощность при /=30 МГц, [/o = 28 В не менее................... 125 Вт

Коэффициент усиления по мощности в режиме двухтонового сигнала при РуСпо) = 150 Вт, [/« = 28 в, [/эб = 0,45 в, /=30 МГц, Д/=1-5 кГц не менее 17

Коэффициент полезного действия коллектора в режиме двухтонового сигнала при Рвых(по) = 150 Вт, [/э = = 28 В, [/эБ = 0,45 В, /=30 МГц, Д/= 1 - 5 кГц не менее................. 50%

Коэффициент комбинационных составляющих третьего и пятого порядков при Рвь1х(по) = 150 Вт, [/кэ = 28 В, [/эб = 0,45 В, /= 30 МГц, ДГ= 1-5 кГц не более 33 дБ

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим

эмиттером при [/кэ = 5 В, /к = 5 А.......10 - 80

типовое значение............... 50*

Модуль коэффициента передачи тока при [/кэ = 5 В, /к = 5 А, /= 30 МГц не менее........ 3,3

Емкость коллекторного перехода при [/кб = 28 В не

более................... 600 пФ

типовое значение* .............. 500* пФ

Обратный ток коллектор-эмиттер при Скэ = 60 В,

Лэб = 10 Ом не более............100 мА

Обратный ток эмиттера при [/эб = 4 В не более ... 30 мА

Активная составляющая входного импеданса* при

вых(по) = 150 Вт, /= 30 МГц..........0,6 Ом

Реактивная составляющая входного импеданса* прн

вых(„о) = 150 Вт, /= 30 МГц..........0,5 Ом

Индуктивности выводов*

эмиттера.................1,4 нГн

базы..................2,2 нГн

коллектора................ 2 нГн

Емкость эмиттерного перехода при [/эб = 4 В не более ................... 2250 пФ

типовое значение..............1900 пФ

при при

при г, = 398 К 2Т957А

Степень рассогласования нагрузки в режиме усиления высокочастоз ного сигнала при /"выхСпо) = 70 Вт, t/кэ = = 28 В, f = 1 си любой фазе коэффициента отражения

Тепловое сопротивление переход-корпус......

Температура перехода .............

Температура окружающей среды.

2Т957А............От 213 К до

КТ957А............От 238 К до

120 Вт 69 Вт 52,5 Вт

100 Вт 75 Вт

30 I 1,42 К/Вт 473 К

Гк= 398 К Гк = 358 К

Примечание При пайке температура корпуса не должна превышать 398 К При отсутствии контроля за температурой корпуса пайка производится паяльником, нагретым до температуры не выше 523 К, в течение не более 8 с на расстоянии не менее 1 мм от корпуса Допускается изгиб выводов на расстоянии не менее 3 мм от корпуса

"213 S5

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

"ги\

о 1 2 3 Ч 5 в 1ц,А

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора

28 В 4 В

20 А 7 А

напряжение коллектор-эмиттер в режиме усиле-"""высокочастотного сигнала при ЛэБ = Ю Ом . . . иное напряжение питания коллектора в режиме

°еяия высокочастотного сигнала.......

тоянное напряжение эмиттер-база.......

"Стоянный ток коллектора..........

Птоянный ток базы............

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при , = 28 В

Гк= 303 к..............

Г«= 373 к.............

при Г« = 398 К 2Т957А...........

Гоедняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме при t/кэ = 28 В

Г, < 373 К.............