-40 -SB -36 -34 -32 -30

40 60 ВО 100 120 140 160 Pgf„j,BT

52 30 28 26 24 22

Зависимость коэффициента комбинационных составляющих третьего порядка от выходной мощности в пике огибающей

Зависимость коэффициента усиления от выходной мощности в пике огибающей

21 IB 15 12 9 В

5..........

Зависимость тока коллектора от О 5 10 15 20 25 30 35Окз,В напряжения коллектор-эмнттер

2Т958А, КТ958А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные высокочастотные

База

Змиттер Memo

маркиродки

□Г

Коллектор

назначены для применения в схемах щирокополосных уси-"мошности класса С, в умножителях частоты и автогене-дителеи цстотах 50 - 200 МГц при напряжении питания 12,6 В ратора" в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточ-

выводами Транзистор содержит внутреннее согласующее о Обозначение зипа приводится на корпусе Масса транзистора не более 7 г

Электрические параметры

о ,плная мощность при t/кэ = 2,6 В, /=175 МГц, Г <313 К не менее............. 40 Вт

ь-п4(ЬиЦиент усиления по мощности при = 40 Вт,

Uk3= 2,6 В, /= 175 МГц не менее...... 4

тит)вое значение.............. 6*

к-оэффициент полезного действия коллектора при Рвь,х = = 40 Вт, t/кэ = 12,6 В, /= 175 МГц не менее .... 50 % типовое значение.............. 75%

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/кэ = 8 В, /к = 500 мА не менее ... 10* типовое значение .............. 55*

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = = 500 мА, /б =100 мА, типовое значение .... 0,08* В

Модуль коэффициента передачи тока при / = 100 МГц, Uk3= 10 В, /к = 3,5 А

2Т958А не менее.............. 4

типовое значение .............. 7*

КТ958А не менее.............. 3

Критический ток коллектора при t/кэ = Ю В, / = = 100 МГц, типовое значение......... 20* А

Постоянная времени цепи обратной связи при t/кБ = 5 В, /э = 50 мА,/= 5 МГц, типовое значение.....12* пс

Емкость коллекторного перехода при t/кБ =12 В, / =

= 30 МГц не более.............180 пФ

типовое значение..............130* пФ

Емкость эмиттерного перехода при t/эБ = О, / = 5 МГц

не более..................2100 пФ

типовое значение..............1920* пФ

Обратный ток коллектор-эмиттер при 1/кэ = 36 В, Бэ= 10 Ом при Г= 298 К

2Т958А не более............. 15 мА

КТ958А не более..............25 мА

ратный ток эмиттера при t/эБ = 4 В при Г = 298 К

.................. ЮмА

"ДУктивность внутреннего LC-звена, типовое значе-

g ...................0,52* нГн

мкость внутреннего LC-звена, типовое значение . . . . 1400 пФ

Индуктивность выводов* при / = I мм

эмиттерного............... 0,49 нр

............. 6 НГн"

............. 0.6 НГн

коллекторного. базового . . .

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при R <

< 10 Ом.................. 36 g

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 4 g

Постоянный ток коллектора.......... 10 д

Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме

при Гк < 313 К.............. 85 Вт

при Гк = 398 К 2Т958А........... 25 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус....... 1,4 К/Вт

Температура перехода............. 433 к

Температура окружающей среды

2Т958А.................От 213 до

Гк = 398 К

КТ958А.................От 233 до

Г, = 358 К

Примечания 1 Допускается работа транзисторов на перемен ном сигнале в режиме классов А, АВ, В при условии, что рл бочая точка находится в пределах области максимальных режимов

Допускается работа транзисторов при/> 200 МГц, ,яаю < Вт и непревышении предельно допустимых режимов

2 Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса Пайку производить при температуре не выше 543 К в течение времени не более 5 с

Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 4 мм от корпуса, без нарушения герметичности и с сохранением обозначения коллекторного вывода

Чистота контактной поверхности тетоотводов должна быть не менее 2,5

Нетоскостность контактной новерхности теплоотводов должна быть не более 0,04 мм

Тепловое сопротивление корпус-теплоотвод при нанесении тепло отводящей смазки типа КПТ-8 (ГОСТ 19783-74) на поверхность теплоотвода транзистора не более 0,3 К/Вт