Ig ,мА

П607,П607А,П6О8,

-П808А,П608Б,ПБ09~ П609А,П609Б

%о,ч

о 0,1 0,2 0,5 0,4 h„,A

Входные характеристики

1 г 5 юг 5 102 5 io2Rs3,0m

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмнттер от импульсного тока коллектора.

Зависимость относительного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер

<ё 1,0

Л 0.5

215 255 253 273 293 313 333 Т,К

Зависимое гь максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры.

0,5 О

Зависимость максямально пустимой мощности рассеив -иия коллектора от температур

КТ626А,

КТ626Б, КТ626В, КТ626Г, КТ626Д

нзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р высоко-„астотные универсальные

П едназначены для раооты в усилителях коротковолнового диапа-переключающих схемах. "Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Пбозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 1,0 г.

Щрллентар j

Эмиттер 15,5

Электрические параметры

Граничная частота при t/кэ = Ю В, /э = 30 мА не менее.

КТ626Б.................75 МГц

КТ626А, КТ626В, КТ626Г, КТ626Д.......45 МГц

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при f/кэ = 2 В, /к = 0,15 А:

КТ626А................. 40-250

КТ626Б.................30-100

КТ626В................. 15-45

КТ626Г................. 15-60

КТ626Д................. 40-250

Обратный ток коллектора не более:

КТ626А при f/кБ = 30 В...........10 мкА

КТ626Б, КТ626В при f/кБ = 30 В, КТ626Г, КТ626Д

при 1/кБ = 20 В..............150 мкА

Обратный ток эмиттера* при f/эБ = 4 В не более:

КТ626А.................10 мкА

КТ626Б, КТ626В, КТ626Г, КТ626Д....... 300 мкА

Постоянная времени цепи обратной связи * на /= 5 МГц,

при t/кБ = 10 В, /э = 30 мА не более...... 500 пс

ьмкость коллекторного перехода* при I/re = Ю В не

и°°™е...................150 пФ

Напряжение насыщения коллектор-эмигтер КТ626А, КТ626Б при /к = 0,5 А, /б = 0,05 и КТ626В, КГ626Г, КТ626Д при /к = 0,5 А, /б = 0,1 А не

................... 10 В

45 в 60 в 80 в 20 В 0,5 Л 1,5 А

"213

20 10

"213 60

0,1 0,3 0,5 0,71,,А

О

0,1 0,3 0,5 0,7 Ij,А

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

Зависимость статического ко Ф фициента передачи тока от эмиттера.

Постоянное напряжение коллектор-база.

КТ626А.................

КТ626Б.................

КТ626В.................

КТ626Г, КТ626Д..............

Постоянный ток коллектора...........

Импульсный ток коллектора..........

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

при Гк < 333 К..............6,5 Вт

при Гк = 358 К.............. 4 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус.......10 К/Вт

Температура перехода............. 398

Температура окружающей среды.........От 233 до

= 333 к

Примечание. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5 - 2 мм.