2Т629А-2, КТ629А

f анзисторы кремниевые эпитаксназьно-планарные р-п-р переклю-

тезьные для работы в быстродействующих импульсных

"рмегнзированной аппаратуры вескорпусные на керамической 1,9

с защитным покрытием, ""бкими выводами Выпускаются сопроводительной таре Обозначе-" типа приводится на этикетке масса транзистора не более 0,02 г

Эмиттер

Коллектор База

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером 2Т629А-2 при t/кБ =1,2 В, /э = 500 мА

при Г = 298 К.............25-80

при Г = 398 К.............25-150

при Г= 213 К............. 10-80

КТ629А при f/кБ = 5 В, /э = 500 мА, Г = 298 К . . . 25-150 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при = = 500 мА, /g = 50 мА не более

2Т629А-2................ 08В

КТ629А................. IB

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 500 мА, h = 50 мА не более

2Т629А................. 1,5 В

КТ629А................. 1,2 В

Время рассасывания при 4 = 500 мА, 4 = 50 мА, 2Т629А-2

не более.................. 90 не

Обратный ток коллектора при t/к б = 50 В, Г=213-

- 398 К не более............. 5 мкА

Обратный ток коллектор-эмиттер при t/кэ = 50 В,

«эб = 1 кОм не более............5 мкА

оратный ток эмиттера при С/эб = 4,5 В не более ... 5 мкА раничное напряжение при /э = 10 мА не менее

21?29А-2................. 50 В

КТ629А................. 40 в

одуль коэффициента передачи тока при С/кэ = 5 В, Х-50 мА, /= 100 МГц не менее....... 2,5

120 пф

Емкость коллекторного перехода при t/кБ = Ю В не более:

2Т629А-2................20 пф

КТ629А................. 25 пф

Емкость эмиттерного перехода при f/эБ = 0,5 В не более:

2Т629А-2................100 пф

КТ629А.................

Постоянная времени цепи обратной связи* при [/«б = = 10 В, /э = 50 мА, /= 30 МГц

типовое значение ..............

Время выключения* при /к = 500 мА, /б = 50 мА, типовое значение ...............

Время включения* при = 500 мА, /б = 50 мА, типовое значение............... 30 не

Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжеиие коллектор-эмиттер при Лэб =

= 1 кОм................. 50 в

Постоянное напряжение коллектор-база......50 g

Постоянное напряжение эмиттер-база.......4,5 В

Постоянный ток коллектора.......... I д

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

при Т < 353 К.............. 1 В

при Г = 398 К..............0,18 Вт

Температура перехода............. 408 К

Температура окружающей среды.........От 213 до

Г= 398 К

Примечание При монтаже транзистора допускается пайка выводов на расстоянии не менее 2 мм до места выхода вывода из защитного покрытия при температуре не выше 473 К в течение не более 10 с Изгиб вывода допускается на расстоянии не менее 0,5 мм от места выхода вывода из защитного покрытия Запрещается соприкосновение вывода и кристалла и перегиб выводов на ребрах металлической подложки и на инструменте с острыми краями

:о,8

0,4

о 0,2 0,4 0,6 1,, А

"213

100 60 20

120 100 80

15 10

20 JO Oks,B

ъвисимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база.

Зависимость граничной частоты от тока коллектора

100 200

3001цмА

1Т901А, 1Т901Б

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р переключательные высокочастотные мощные.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 25 г. Масса крепежного фланца не более 10 г.

Зот8.Ф4,5

Коллектор Виза.