Бази

Ноллентор

6, В

Змиттер

Электрические параметры

Граничная частота коэффициента передачи тока при

Uk3 = 3 В, /э = 0,4 А пе менее........75 МГц

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/o = 3 В, = 0,4 А

2Т933А, КТ933А.............. 15-80

2Т933Б, КТ933Б..............30-120

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /« =

= 0,4 А, /б = 0,05 А не более......... 1,5 В

типовое значение..............0,4* В

Емкость коллекторного перехода при (Уб = 20 В, /= 5 МГц................. 50-100 пФ

Обратный ток коллектор-эмиттер при Лбэ = ЮО Ом не более

при г/кэ = 80 В 2Т933А, КТ933А.......0,5 мА

при С/кэ = 60 В 2Т933Б, КТ933Б......0,5 мА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер и коллектор-база

2Т933А, КТ933А.............. 80 В

2Т933Б, КТ933Б.............. 60 В

Постоянное напряжение эмиттер-база при /эб = 5 мА 4,5 В

Постоянный ток коллектора........... 0,5 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

при Гк < 323 К.............. 5 Вт

при Гк = 373 К..............2,5 Вт

при Гк = 398 К 2Т933А, 2Т933Б........ 0,2 В

Тепловое сопротивление переход-корпус.......20 К/Вт

Температура перехода ............. 423 К

Температура окружающей среды

2Т933А, 2Т933Б..............От 213 до

Гк = 398 К

КТ933А, КТ933Б..............От 213 до

Гк = 373 К

Примечание Минимальное расстояние от корпуса до места пайки выводов 6 мм

80 60 40

О 0,1 о,г 0,3 о,ч1ц,А

Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

120 100 80 60 40 20

20 Uks,B

Зона возможных положений зависимости емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

Р а 3 д е г восьмой

ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНЫЕ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ

п-р-п

2Т606А, КТ606А, КТ606Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные сверхвысокочастотные

Предназначены для применения в схемах усилителей мощности, в том числе при амплитудной модуляции в умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с изолированными от корпуса жесткими выводами с монтажным винтом Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 6 г.

Коппектор

Выходная мощность при t/кэ = 28 В, /= 400 МГц, не менее

2Т606А. КТ606А..............0,8 Вт

КТ606Б.................0,6 Вт

Коэффициент усиления по мощности не менее .... 2,5

типовое значение.............. 3 *

Коэффициент полезного действия коллектора не менее ................... 35

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер* при /к =

= 200 мА, /б = 40 мА не более........ 1,0 В

Модуль коэффициента передачи тока при /= 100 МГц, t/кэ = 10 В, /к = 100 мА не менее:

2Т606А, КТ606А.............. 3,5

КТ606Б................. 3

Критический ток коллектора при t/кэ = Ю В,/= 100 МГц

не менее..................100 м А

Постоянная времени цепи обратной связи при t/кБ = = 10 В, /= 5 МГц, /э = 30 мА не более:

2Т606А, КТ606А.............. 10 НС

КТ606Б................. 12 НС

Емкость коллекторного перехода при t/кБ = 28 В,

/= 5 МГц не более............. 10 пФ

Емкость эмиттерного перехода

при t/эБ = 0, /= 5 МГц не более....... 27 пФ

Обратный ток коллектор-эмиттер при t/кэ = 65 В, Лэб = 100 Ом не более-при Г= 298 К

2Т606А................ 1 мА

КТ606А, КТ606Б.............1,5 мА

при Г= 358 К

КТ606А, КТ606Б............. 3 мА

при Г = 398 К 2Т606А........... 2 мА

Обратный ток эмиттера при t/эБ = 4 В при Г = 298 К не более:

2Т606А.................0,1 мА

КТ606А, КТ606Б..............0,3 мА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ < < Ш Ом:

2Т606А................. 65 В

КТ606А, КТ606Б.............. 60 В

Пиковое напряжение коллектор-эмнттер при j > 100 МГц.

2Т606А................. 5 В

КТ606А, КТ606Б.............. 70 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 4 В

Постоянный ток коллектора........... 400 мА