пцКоВЫЙ ток коллектора............ 800 мА

jjgCTOHHHbift ток базы............. 100 мА

(Средняя рассеиваемая мощность в динамическом ре-лсиме:

при Г, = 313 К.............. 2.5 Вг

при = 398 К 2Т606А........... 0,57 Вт

Хепловое сопротивление переход-корпус...... 44 К, В г

-j-gjuneparypa перехода:

2Т606А................. 423 К

КТ606А, КТ606Б............. 393 К

Температура окружающей среды:

2Т606А................. От 213 до

Гк = 398 К

КТ606А, КТ606Б............. От 233 до

Гк = 358 К

Примечание. При монтаже транзисторов допускается усилие, перпендикулярное оси вывоДа, не более 50 г, категорически за-преь-ается изгиб выводов, а также их кручение вокруг оси.

Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от квпуса транзистора.

Использование транзистора без теплоотвода не рекомендуется.

Чистота контактной поверхности теплоотводов должна быть

менее 2,5 Неплоскостность контактной поверхности теплоот-а должна быть не более 0,03 мм.

О 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25Pg,BT

4 В 12 16 20 Окэ,В

шисимость относительной вы-одной мощности от входной.

Зависимость относительной выходной мощности от напряжения коллектор-эмнттер.

5,0

I г,о

11,0

0,2 0,1

100 гоо Ш400 500f,МГц

Зависимость относите 1Ьной выходной мошности от частоты

О 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0Р,Вг

Зависимость относительного коэффициента уситения от выходной мощности

70 60 50 40 30 20

0,2 0,4 0,6 0,8 1,0Рв„„Вт О 100 200 300 400 500Г,МГи,

Зависимость относительного коэффициента полезного действия от выходной мощности

Зависимость коэффициента полезного действия от частоты

1,4 -1.2

Ш 1,0 II

J= 0,6 J 0,4 0,2

О 100 200 300 400 5001„мА О 50 100 150 200 250 Iк,

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

Зависимость модуля относительного коэффициента передачи тока от тока коллектора

Зависимость относитетьной постоянной времени цепи обратной связи от тока копектора

Зависимость относительной постоянной времени цепи обратной связи от напряжения коллектор-эмиттер

Я 2,0

00 IN)

2ТВ06А }

ктвова;

KTBG66

о т 20 30 W 50Uks,B

Зависимость относитетьной емкости коззекторного перехода от напряжения коззектор-база

1,2 1,0

"о"

0,6 0,4 0,2

2 Ч- 6 В 10изв,В

Зависимость относительной емкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база

Эматтер

2Т607А-4, КТ607А-4, КТ607Б-4

г Транзисторы кремниевые эпитак- fa. Коллектор

сиально-планарные п-р-п генераторные сверх высок о частотн ые

Предназначены для генерирования и усиления на частотах до 1 ГГц при напряжении питания до 20 В в герметизированной аппаратуре

Бескорпусные с защитным покрытием Обозначение типа приводится На этикетке

Масса траизистора не более 0,4 г