типовое значение............. 0,62* В

Напряжение насыщения база-эмнттер при /к = I А.

/б =100 мА не более............ 1,7 В

типовое значение.............. 1,2* В

Время рассасывания при = 1000 мА. /б = 100 мА не более

2Т624А-2, 2Т624АМ-2............ 15 не

КТ624А. КТ624АМ............. 18 не

Модуль коэффициента передачи тока на /= 100 МГц

при t/кэ = 5 В, /к = 100 мА не менее...... 4,5

типовое значение.............. 9,7*

Граничное напряжение при /э = 30 мА не менее ... 12 В

типовое значенне.............. 22 * В

Емкость коллекторного перехода при С/б = 5 В не

более................... 15 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Уэб = 5 В не

более................... 50 пФ

Обратный ток коллектора при (Уб = 30 В не более ... 100 мкЛ

Обратный ток эмиттера при (Уэб = 4 В не более .... 100 мкА Обратный ток коллекгор-эмиттер при (Уэ = 30 В, Лэб =

= О не более................ 200 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение котлектор-база...... 30 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 4 В

Постоянный ток коллектора.......... 1 А

Импульсный ток коллектора при т„ < 5 мкс, Q > 10,

Г, < 358 К................. 1,3 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

при Гк < 343 К............... 1 Вт

при Гк = 358 К..............0,7 Вт

Температура перехода ............. 393 К

Температура окружающей среды

2Т624А-2, 2Т624АМ-2............От 213 до

Гк = 398 К

КТ624А, КТ624АМ.............От 223 до

Г = 358 К

Примечание Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется в следующем порядке место монтажа в микросхеме смачивается флюсом ФКСП, затем укладывается фольга припоя ПОС-61 толщиной 30 мкс, размером 1.9 х 1,9 мм. Микросхема нагревается до температуры 473 К в течение 10 с В момент пайки транзистор притирается к месту монтажа пинцетом Усилие прилагается к боковым поверхностям кристаллодержателя.

80 60 fO

0,t 0,3

\о,г

0,1

о гоо 400 6001к,мА

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока колтектора.

гоо 400 6001к,мА

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

1,1 1

1о,9 0,8 0,7

"г1э\ 10

о 200 400 600 Ii,mA о 200 400 6001,»А

Зависимость напряжения насыщения база-эмнттер от тока коллектора

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора.

Ск,пФ

12 Uks,B 681

3»ииттер

Коллектор база

2Т634А-2, КТ634Б-2

Транзисторы кремниевые эпи-таксиатьно-планарные п-р-п СВЧ генераторные

Предназначены дтя работы в генераторах и >ситителях мощности в диапазоне частот 1 -5 ГГц в герметизированной аппаратуре только в схеме вктючения с общей базой

Бескорпчсной с защитным покрытием с гибкими выводами на

крнсталлодержатете Обозначение тина приводится в этикетке Масса транзистора не более 0,15 г

Электрические параметры

Выходная мощность (медианное значение) при {/«б = 20 В, /« = 100 мА f = 5 ГГц не менее

2Т634А-2 ................ 350 мВт

КТ634Б-2 ................ 200 мВт

Коэффициент уситения по мощности* при fjux = 200 мВт,

ОкБ = 20 В /к = 100 мА / = 5 ГГн.......175-34

Коэффициент по (езного действия коттектора* при Р,, =

= 200 мВт, f/кБ = 20 В 4=100мА /"= ГГц . . . 17 5-34 /

типовое значение.............. 22 5 * /

Граничная частота при Скэ = О В, / = 100 мЛ не

менее...................15 ГГц

типовое значение..............2 * ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи прн (-кб =

= 10 В /э=30 мА /=100 МГц не ботее 2 пс

типовое значение..............О 85 * пс

Емкость коттекторного перехода при (,\б=15 В не

ботее...................2 5 пФ

типовое значение..............1 9 * пФ

Емкость эчшттерного перехода при С ЭБ = О не ботее . . . 8 пФ Межэлектродные емкости

между базой и коттектором.........0,61 пФ

между базой и эмиттером..........О 44 пФ

между коттектором и эмиттером........ 0 003 пФ

Обратный ток коттектора при f/кБ = 30 В не более

при Г = 298 К..............0,5 мА

прн Г = 398 К.............. 5 мА

Обратный ток эмиттера при 6эб= 3 В не ботее

при Г = 213 - 298 К.............50 мкА

при 398 К................ 500 мкА