0нД\ктнвностн выводов*

базового................. 0,11 нГн

эмиттерного................ 0 3 нГн

коззекторного............... 0 5 нГн

Преде.зьные эксплуатационные даииые

Постоянное напряжение коззектор-база

КТ634Б-2................. 30 В

2Т634А-2

при Г, > 298 К.............. 50 В

прп Г, = 213 К............. 25 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 3 В

Постоянный ток коззектора........... 015А

Импузьсный ток коззектора прн т„ < 10 мкс, Q > 50 0,25 А

Постоянный ток базы............. 75 мА

Средняя рассеиваемая мощность коззектора в динамическом режиме на частотах бозее 1 ГГц

при Гк < 298 К............... 1 8 Вт

при Гк = 398 К 2Т634А-2.......... О 36 Вт

Тепзовое сопротивзенне переход-корпус....... 100 К Вт

Температура перехода ............. 423 К

Температура окружающей среды

2Т634А-2................. От 213 до

Гк = 398 К

КТ634Б-2................ От 213 до

Гк = 373 К

Примечание Пайка выводов производится при температуре 493 К в течение времени не бозее 10 с Держатель транзистора является базовым эзектродом

800 700 800 500 I Ш SOO 200 100

О 50 100 150200250 300 Рв,,мВт

3 6 9 12 15 18 Ukb,B

25 20 15 Ю

2,2 1,в 1,4

О 100 200 300 Pg,,мВт О 40 80 120I,,mA

Зависимость коэффициента по- Зависимость граничной частоты

лезного действия от входной от тока котлектора мошности

1кр,А

0,3 0,2 0,1 О

10 п

18 икз,В

TV, пс

1,В 1,2 0,8 0,4

Зависимость критического тока от напряжения копектор-эмиттер

О 20 40 SO 1к,мА

Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от lo-ка кол тектора

2Т635А, КТ635Б

Транзистор кремниевый эпптаксиатьно-птанарный п-р-п перектю-чательный

Предназначены для быстродействующих импульсных и высокочастотных усититетьных с\ем

Коллектор

Выпускается в метазлостектянном корпусе с гибкими выводами 05означение типа привозится на корпусе Масса транзистора не бозее 3 г

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при иэ =1 В, /к = 500 мЛ . . . . 20-150 типовое значение.............. 40*

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /« =

= 500 мА, /б = 50 мА не бозее........ 0,5 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при = 500 мА, /g = 50 мА не бозее.....- ........ 1,2 В

Время выключения при = 500 мА, 1 = 50 мА не

бозее................... 60 нс

типовое значение..............45* не

Время рассасывания при = 500 /б = 50 мА не более ................... 50 нс

Обратный ток козлекзора при Lkb = 60 В не более.................... 10 мкА

Обратный ток эмиттера при f/эБ = 5 В не более ... 10 мкА

Обратный ток коззекгор-эмиттер прн 03 = В, Лэб = о не более.............. 10 мкА

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/кэ = Ю В, = 50 мА

не менее................. 250 МГц

типовое значение.............. 460* МГц

Емкость коллекторного перехода при иь = о В не

бозее................... 10 пФ

типовое значение..............7 4* пФ

Емкость эмиттерного перехода при t/эБ = о не бозее 90 пФ

Грс ничное напряжение прп /э = Ю мА не менее ... 45 В типовое значение .............. 52* В

Постоя1шая времени цепи обратной связи* при

t/кБ = 10 В, /э = 30 мА, 1=5 МГц типовое значение 25 пс

Предельные Эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база....... 60 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 5 В

Постоянное напряжение ко i ieKTop-эмиттер прн /?эб = о 60 В

Постоянный ток коллектора.......... 1 А

Импульсный ток коззектора.......... 1 2 А

Постоянная рассеиваемая \ющность коллектора

при Г < 298 К.............. о 5 Вт

прн Г = 358 К.............. о 1 Вт

Тсчшература перехода

2Т635А................. 423 К

КТ635Б................. 398 К

Тетовое сопротивление переход-среда

2Т635А................. 250 К/Вт

КТ635Б................. 190 К Вт