= 28 в = О 8 Вт. Г, < 313 К. /-= I - 1 8 ГГц.

типовое значение.............. 40%

[ический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером* при г/кэ = 5 В, /д = 200 мА, типовое

значение.................. 40

1Уозуль коэффициента передачи тока при /= 300 МГц, (уз = 10 В. /к = 100 мА не менее

2Т9ИА................. 3,34

2Т911Б................. 2,8

КТ9ПА, КТ911В.............. 2,5

КТ911Б, КТ911Г.............. 2

Критический ток колзектора при = Ю В,/ = 300 МГц

2T9I1A, КТ9ПА не менее..........170 мА

типовое значение............. 220* мА

2Т911Б, КТ911Б не менее..........150 мА

типовое значение.............. 220* мА

КТ91 IB не менее.............160 мА

КТ91 1Г не менее.............140 мА

Постоянная времени цепи обратной связи при Ue = = 10 В, /э = 30 мА, / = 5 МГц не более

2T91IA, 2Т911Б, КТ911А КТ911Б........ 25 пс

KT9I1B................. 50 пс

КТ911Г................. 100 пс

Емкость колзекторного перехода прн {/б = 28 В, у =

= 5 МГц не бозее.............. 10 пФ

типовое значение..............4 * пФ

Емкость эмиттерного перехода* ири Ьэб = 0. / = 5 МГц,

типовое значение.............. 18 пФ

Обратный ток коззектора при Скб = КЕмам. бозее при Г = 298 К

2Т911А, 2Т911Б............. 3 мА

КТ911А, КТ911Б КТ911В, КТ911Г...... 5 мА

при Г= 398 К

2T91IA, 2Т911Б............. 10 мА

при Г= 358 К

KT9IIA, КТ911Б, КТ911В КТ911Г...... 10 мА

Образный ток эмиттера при Уэб = 3 В Г = 298 К не бозее

2Т911А, 2Т911Б............. I мА

KT9IIA, КТ911Б, КТ911В КТ911Г...... 2 мА

Преде зьные эксп.зуатационные данные

Постоянное напряжение коззекзор-база

2T91IA 2Т911Б, KT9IIA, КТ911Б....... 55 В

КТ911В, КТ911Г............. 40 В

остоянгое напряжение ко 1Лектор-э\н1Ттер при Лбэ < < 100 Ом

-Т911А 2Т911Б KT9I1A, КТ911Б....... 40 В

KT91IB, КТ911Г............. 30 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 3 8

Постоянный ток котлектора.......... 400 мЛ

Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме при Г, < 323 К 2Т911А, 2Т911Б при < 298 К

КТ911А, КТ911Б КТ911В, КТ911Г...... 3 Вт

при Г, = 398 К 2Т911А. 2Т911Б.......0,75 Вт

при Г, = 358 К КТ911А, КТ911Б, KT91IB КТ911Г 105 Вг

Тетовое сопротивтение перечод-корпус.......33 К/Вт

Температ)ра перехода

2Т911А 2Т911Б............. 423 К

КТ911А КТ911Б, КТ911В КТ911Г....... 393 к

Температура окружающей среды

2Т911А, 2Т911Б..............От 213 то

Г, = 398 К

КТ911А, КТ911Б, КТ911В, КТ911Г......От 233 ю

= 358 К

Примечание Разрешается трехкратный изтиб выводов на р \с-стоянни не менее 3 мм от корн>са с радиусом закругления не менее 1 мм, а также подрезка выводов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса При изгибе и подрезке выводов должна быть обеспечена неподвижность выводов на )частке от корпуса до места изгиба или подрезки и исключена возможность передачи усилия на место присоединения вывода к корпусу Допускается изгиб выводов на расстоянии от 1 до 3 мм от корпуса и подрезка на расстоянии от 3 до 5 мм от корпуса при условии выпотнеиия вышеуказанных требований и по методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора

0,9 f =1,8 ГГц \ гТ911Б,КТ911Б~\ °

О 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 Pi,8t О 5 10 15 20 25 0,,8

Зависимость выходной хюшно-сти от напряжения источника питания

2,2 2,0 1,8 i 1,В

1,0 0,8

70 60 50

40 \- 30

20 10

KT911A f = 1,8rru, Pe,=0,4Br

0 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 f, ГГц 0 5 10 15 20 25 U, В

Зависимость выходной мощности от частоты.

Зависимость коэффициента полезного действия от напряжения коллектор-эмиттер

5 4 3 2 1

2Т911А,КТ911А f =1,8 ГГц -П,=0,4Вт.

2Т911Б, У\ КТ911Б Г = 1ГГц,Р1 = 0,ЗВт-

О 5 10 15 20 25 30Uks,B О 5 10 15 20 25 0,3,В

Зависимость коэффициента усиления по мощности от напряжения коллектор-эмиттер.

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер.

"г1э\ 10

О 100 200 300 1ц, м А

Зависимость модуля коэффициента передачп тока от тока коллектора.

О 100 200Ц,мА

Зависимость относительной постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера.