при г, = 213 к............. 45 В

КТ913А, КТ913Б, КТ913В

при Г, < 358 К.............. 55 В

при Гк = 228 К............. 45 В

flnKOBoe напряжение коллектор-эмиттер при = 10 Ом 55 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 3,5 В

Постоянный ток козлектора

2Т913А, КТ913А.............. 0,5 А

2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В...... 1 А

Импульсный ток коллектора

2Т913А, КТ913А.............. 1 А

2Т913Б, 2T9I3B, КТ913Б, КТ913В....... 2 А

Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме 2Т913А

при Г, < 328 К.............4,7 Вт

при Гк = 398 К............. 1,2 Вт

2Т913Б

при Гк < 343 К............. 8 Вт

при Гк = 398 К.............2,5 Вт

2Т913В

прн Гк < 298 К............. 12 Вт

при Гк = 398 К.............. 2 Вт

КТ913А

при Гк < 328 К............. 4,7

при Гк = 358 К..............3,2 Вт

КТ913Б

при Гк < 343 К............. 8 Вт

при Гк = 358 К.............6,5 Вт

КТ913В

при Гк < 298 К.............. 12 Вт

при Гк = 358 К............. 6 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус

2Т913А, КТ913А.............20 К/Вт

2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В.......10 К/Вт

Температура перехода ............. 423 К

Температура окружающей среды

2Т913А, 2Т913Б, 2T9I3B...........От 213 до

Гк = 398 К

КТ913А, КТ913Б, КТ913В..........От 228 до

Гк = 358 К

Примечание В процессе присоединения выводов температура корпуса в любой его точке не должна превышать 358 К Изгиб и обрезание выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм От корпуса

Прн экспзуатации оба вывода эмиттера должны быть симметрично соединены в схеме На частотах менее 200 МГц должны Применяться облегченные режимы при пониженном напряжении питания

23* 7в7

Транзисторы 2Т913А и KT9I3A могут быть использованы в нейных усилите тях в режимах при (/«э < 6 В, < 500 мА

Ь1э\ 10,0

о 0,2 0,4 0,0 0,81ц,А

Зависимость модуля ко-=1ффици-ента передачи тока на высокой частоте от тока коз leKropa

10,0 7,5 5,0 2,5

о 0,4 0,8 1,2 1,61,,А

Зависимость модуля коэффипи-CHia передачи тока на высокой частоте or тока ко тек гора

1кр,А 4

Зависимость критического тока от напряжения коллектоо-эмит-тер

10,0 7,5 5,0 2,5

О 10 20 30 40 50и,э,В О

50 100 150 г001д,мА

Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера

С„пФ 10

219135, . КГ913Б,.

21913В, К1913В

21913 А,-КТ913А,

О 10 20 30 40U,s,B

Сз,пФ 100

4 изв,8

О 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0Рв„ат о 0,8 1,6 2,4 3,2Рд„Вт

Зависимость выходной мощности от входной

Зависимости выходной мощности от входной

25 0,3,8

Завнсимости выходной мощности от напряжения коллектор-эмиттер

14 12 10 8

Зависимость выходной мощности и мощности рассеивания коллектора от фазы коэффициента отражения нагрузки при рассогласовании.

2Т916А, КТ916А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные сверхвысокочастотные

Предназначены для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 200-1000 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В

Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Обозначение типа указывается на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.