Эмиттер Эмиттер

Коллектор

Электрические параметры

Выходная мощность при / = I ГГц, = 28 В, не менее................. 20 Вт

Коэффициент усиления по мошности на /= 1 ГГц при

Рвых = 20 Вт, (/кэ = 28 В не менее....... 2,25

типовое значение.............. 2,5*

Коэффициент полезного действия коллектора на У = 1 ГГц

при Рвых = 20 Вт, (/кэ = 28 В не менее..... 45 %

типовое значение.............. 55 * %

Граничная частота коэффициента передачи тока при (/кэ = 10 В:

при /к = 1,5 А не менее..........1,1 ГГц

при /к = 2,6 А не менее..........0,8 ГГц

при /к = 1,5 А, типовое значение........1,4* ГГц

Критический ток* при 6кэ=0 В, типовое значение ................... 2,8 А

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером * при (/кэ =5 В, /к = 0,25 А, типовое значение................. 35

Напряжение насыщения коллектор-эмнттер * при /к =

= 0,25 А, /б = 0,03 А, типовое значение..... 0,2 В

Напряжение насыщения база-эмиттер* при /к = 0,25 А, /б = 0,03 А, типовое значение.........0,98 В

Емкость коллекторного перехода при (/кб =30 В не

менее................... 20 пФ

типовое значение..............14* пФ

Постоянная времени цепи обратной связи при (/кб =

= 10 В, /э = 100 мА, /= 30 МГц не более..... 10 пс

типовое значение.............. 4* пс

Активная емкость коллектора * при (/кэ = 30 В, типовое

значение................. 4 пФ

Суммарная активная и пассивная емкость коллектора * при (/кь = 30 В, типовое значение........ 12 иФ

Емкость коллектор-эмиттер*, типовое значение ... 1,5 пФ

Сопротивление базы*, типовое значение.......0,7 Ом

Сопротивление эмиттера*, типовое значение.....0,05 Ом

gMKOCTb эмиттерного перехода * при (Уэб = О, типовое

значение..................190 пФ

индуктивность эмиттерного вывода при симметричном

заземлении у основания корпуса *, типовое значение 0,35 нГн Индуктивность базового вывода у основания корпуса*,

типовое значение.............. 1 нГн

Индуктивность коллекторного вывода у основания корпуса*, типовое значение...........0,6 нГн

Обратный ток коллектор-эмиттер при [/«э = 55 В,

/j-jg = 10 Ом не более............25 мА

Обратный ток эмиттер-база при t/эБ = 3,5 В не более 4 мА Полное входное сопротивление* при /= 1 ГГц, t/кэ =

= 28 В, Рвык = 20 Вт, типовое значение.......(2,2 -I- ;17) Ом

Полное сопротивление нагрузки * при / = 1 ГГц, t/кэ =

= 28 В, Рвых = 20 Вт, типовое значение . . . . (2 +j6) Ом

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база

при Гк < 298 К.............. 55 В

при Г, = Гк .............. 45 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при ЛэБ = 10 Ом

при Гк < 298 К.............. 55 В

при Гк = Гк УИН.............. 45 В

Пиковое напряжение коллектор-эмиттер в динамическом

режиме.................. 55 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 3,5 В

Постоянный ток коллектора.......... 2 А

Импульсный ток коллектора при т„ = 5 не, 2=10 4 А

Постоянный ток базы............. 1 А

Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме

при Гк < 298 К.............. 30 Вт

при Гк = 358 К.............. 16,7 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус....... 4,5 К/Вт

Температура перехода

2Т916А................. 433 К

КТ916А................. 398 К

Температура окружающей среды

2Т916А................. От 213 до

Гк = 398 К

КТ916А................. От 228 до

Гк = 358 К

Примечание. При температуре менее 433 К ограничений на кто пайки выводов не накладьгеается.

20 и.,, В

1,8 1,S

•1,0 0,8 0,6

Зависимость критического тока от напряжения ко шектор-эмит-тер

4 1„А

Зависимость граничной частоты от тока коттектора

Ск,пФ 20

О 20 40 60 80 1001з,мА О 10 20 30 40 0,,8

Зависимость постоянной време- Зависимость емкости коттектор-

ни цепи обратной связи от ного перехода от напряжения

тока эмиттера коттектор-база

24 20 16 12 8 4

2 4 6 8 Р,,,Вт