Зависимость выходной мощно-ти от напряжения коллектор-эмиттер

20 и,э,В

КТ918А, КТ918Б

Транзисторы кремниевые эпитакспально-п запарные п-р-п генераторные сверхвысокочастотные

Предназначены для применения при включении с общей базой в схемах усилителей мощности и генераторах на частотах от 1 до 3 ГГи при напряжении питания до 20 В герметизированной аппаратуры

Выпускаются в керамическом корпусе с частичной герметизацией с гибкими ленточными выводами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 0,15 г

Эмиттер

8а sa

Коплектор

Электрические параметры

Выходная мощность при С/кб = 20 В, /= 3 ГГц, Типовое значение

КТ918А при = 125 мВт.......... 250 мВт

КТ918Б при = 250 мВт.......... 500 мВт

Коэффициент усиления по мощности не менее..... 2

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Скэ = Ю В, 4 = 00 мА не менее

К1918А.................0,8 ГГц

КТ918Б.................1,0 ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи при U = = 10 В, /э = 30 мА, /= 100 МГц не более

КТ918А................. 15 НС

КТ918Б................. 4 НС

Емкость коллекторного перехода при U =15 В, / =

= 10 МГц не более.............4,2 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Uj = О, /= 10 МГц

не более................. 15 пФ

Обратный ток копектора при t/кБ = 30 В не более 2 мА Обратный ток эмиттера при С/бэ = 2,5 В не более 100 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база....... 30 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 2,5 В

Постоянный ток коллектора.......... 250 мА

Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (при f> 1 ГГц)

при Гк < 298 К..............2,5 Вт

при Гк = 358 К.............. 1,3 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус.......50 К/Вт

Температура перехода ............. 423 К

Температура окружающей среды.........От 213 до

358 К

Примечание Монтаж транзистора в микросхему осуществляется путем припайки корпуса транзистора к тетоотводящей поверхности

Теплоотвод, на который монтируется транзистор, должен быть облужен оловом толщиной 10 мкм или серебром толщиной 10 мкм

Основание корпуса перед пайкой необходимо обезжирить этиловым спиртом с помощью ватного тампона

В качестве припоя можно использовать сплавы с температурой плавления менее 423 К Например, индий - серебро (3%) или индий-олово (48 °„) (применение других припоев не допускается) Припой прокатывается до толщины 0,05 - 0,07 мм и нарезается на прямоугольники размером 2,6 х 4 мм, обезжиривается кипячением в четыреххлористом углероде

Место монтажа транзистора на теплоотвод смачивается спиртовым раствором канифоли, после чего монтируется транзистор

Пайка транзистора на теплоотвод производится в печи с инертной атмосферой при температуре не более 473 К

Пайка выводов эмиттера и котлектора производится с помошы» мнкропаяльннка мощностью ие более 15 Вт на расстоянии 3 мм от корпуса Время пайки не должно превыщать 3 с

Допускается пайка выводов на расстоянии менее 3 мм от корпуса, есчи при этом температура корпуса не превышает 443 К

Изгиб выводов допускается на расстоянии не более 3 мм от корпуса транзистора с радиусом закругзения 1,5 - 2 мм При изгибе должна быть обеспечена неподвижность участка вывода между местом изгиба и корпусом прибора

2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В, КТ919А, КТ919Б, КТ919В, КТ919Г

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные сверхвысокочастотные

Презназначены для работы в схемах усиления мощности, генерирования умножения частоты в диапазоне 0,7 - 2,4 ГГц в режимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В

Выпускаются в металзокерамических корпусах с полосковыми выводами Транзисторы КТ919А, КТ919Б, КТ919В, КТ919Г имеют допознительную пзастмассовую обо точку Усзовное обозначение типа дается на верхней части корпуса транзисторов 2Т919А -буква А и зеленая точка, 2Т919Б - буква Б и черная точка, 2Т919В - буква В и безая точка Обозначение типа дается иа этикетке Обозначение типа транзисторов КТ919А, КТ919Б, КТ919В, КТ919Г дается на верхней части корпуса

Масса транзисторов не более 2,2 г

Квп/!ектор

База