Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при

y?g3 < 100 Ом............... 36 В

Постоянное напряжение коллектор-база...... 36 В

Постоянное напряжение эмиттер-база

2Т925А, КТ925А, 2Т925Б, КТ925Б....... 4 В

2Т925В, КТ925В, КТ925Г.......... 3,5 В

Постоянный ток коллектора ~

2Т925А, КТ925А.............. 0,5 А

2Т925Б, КТ925Б.............. 1,0 А

2Т925В, КТ925В, КТ925Г.......... 3,3 А

Импульсный ток коллектора при косинусоидальной форме импульса

2Т925А КТ925А............. 1,0 А

2Т925Б КТ925Б............. 3.0 А

2Т925В КТ925В, КТ925Г.......... 8,5 А

Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме при Г, < 313 К

2Т925А, КТ925А............. 5,5 Вт

2Т925Б, КТ925Б............ 11 Вт

2Т925В, КТ925В КТ925Г........ 25 Вт

при Г, = 398 К

2Т925А................1,25 Вг

2Т925Б................ 2,5 Вт

2Т925В................ 5 7 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус

2Т925А КТ925А.............20 К/Вт

2Т925Б, КТ925Б.............10 К/Вт

I 2Т925В, КТ925В, КТ925Г.........4,4 К/Вт

Температура перехода ............. 423 К

Температура окружающей среды

2Т925А, 2Т925Б, 2Т925В..........От 213 до

Г, = 398 К

КТ925А, КТ925Б, КТ925В, КТ925Г......От 233 до

Гк = 358 К

Примечание Пайка выводов допускается на расстоянин не менее 3 мм от корпуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора Пайку необходимо проводить при температуре не выше 543 К в течение времени не более 5 с

Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 5 мм от корпуса без передачп усизия на керамическую часть, без нарушения герметичности и с сохранением обозначения коллекторного вьгвода

1800 1500 1200 \ ООО 800 300

0,4 0,8 1,2 1,6 2,01„А

1800 1500 J200 Ч 00 •600 300

Зависимость граничной частоты от тока колтектора

2г925б1 KT925E

Окз = 10 В

1 2 3

5 1к,А

Зависимость граничной частоты от тока коллектора.

1200 900

\б00 300

3,0 2,5

Kl,5

ii,o

О 2 4 6 8 101,,А О 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5Рех,Вт

Зависимость граничной частоты от тока коллектора

Зависимость выходной мощности от входной.

12 10 8

о? 4

24 20 16

12 8

О 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0Pg,BT О

6 Pi,,Вт

10 8 В

300 400 Г,МГц

Зависимость коэффициента усиления по мощности от частоты

400 f,Mru,

Зависимость коэффициента усиления по мощности от частоты

5 4 3 2 1

300 400 Г,МГц

Зависимость коэффициента усиления по мощности от частоты

О 4 8 12 16 20Uifs,B

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

1-I-I-I-Т~

f = 5Mru,\UK3 = 10B

0\-2Т925А; КТ925А

2T925B, -КТ925Б-

0,2 0,4 0,6 0,8 1,01к,А

Зависимость постоянной времени цепп обратной связи от тока колзектора

2T925B,KT925B -2T925A,KT925A- f= 10 О МГц

2 4 6 8 10Uk3,B