2Т930А, 2Т930Б, КТ930А, КТ930Б

2 от J 03,2 6 база

Транзисторы кремниевы, эпитаксиально-планарные п-р-ц генераторные сверхвысокочас-тотные.

Предназначены для применения в схемах широкополое-ных усилителей мощности класса С, умножителях частоты ц автогенераторах на частотах 100 - 400 МГц при напряжении питания 28 В.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами. Транзистор содержит внутреннее согласующее LC-звено. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 7 г.

Электрические параметры

Выходная мощность при (/«э = 28 В, /= 400 МГц, Гк 313 К

2Т930А, КТ930А.............. 40 Вт

2Т930Б, КТ930Б.............. 75 Вт

Коэффициент усиления по мощности на /= 400 МГц, не менее.

2Т930А при Р,ь„ = 40 Вт.......... 6

2Т930Б при Рвв,х = 75 Вт.......... 4

КТ930А при Рвух = 40 Вт.......... 5

КТ930Б при Рв„х = 75 Вт.......... 3,5

Коэффициент полезного действия:

2Т930А, КТ930А не менее.......... 50%

типовое значение............. 65* "4

2Т930Б, КТ930Б не менее.......... 50%

типовое значение.............. 58* %

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером* при t/jo = 5 В, /« = 0,5 А, типовое значение:

2Т930А, КТ930А............. 40

2Т930Б, КТ930Б.............. 50

Модуль коэффициента передачи тока при / = 300 МГц. Uk3= 10 В-

2Т930А. КТ930А при /к = 2,5 А не менее .... 1,5

типовое значение.............. 3,0*

2Т930Б, КТ930Б при /к = 5 А не менее..... 2

типовое значение.............. 3,2*

Критический ток коллектора * при (/«э = 5 В, /= 300 МГц, типовое значение:

2Т930А, КТ930А.............. 8 А

2Т930Б КТ930Б.............. 20 А

постоянная времени цепи обратной связи * прн пс = 10 В, /э = 0,5 А, /= 5 МГц, типовое значение

2Т930А, КТ930А.............. 8 пс

2Т930Б, КТ930Б.............. 11 пс

Емкость коллекторного перехода при Ue = 28 В, /= 30 МГц

2Т930А, КТ930А не бозее.......... 80 пФ

типовое значение.............. 62* пФ

2Т930Б, КТ930Б не более.......... 170 пФ

типовое значение............. 130* пФ

Емкость эмиттерного перехода* при (Уэб = О, у = 5 МГц, типовое значение

2Т930А, КТ930А.............. 800 пФ

2Т930Б, КТ930Б.............. 2000 пФ

Обратный ток коллектор-эмиттер при [/«э = 50 В, Лбэ = 10 Ом, Г = 298 К не более

2Т930А, КТ930А............. 20 мА

2Т930Б, КТ930Б..............100 мА

Обратный ток эмиттера при (Уэб = 4 В, Г = 298 не более

2Т930А, КТ930А.............. 10 мА

2Т930Б, КТ930Б..............20 мА

Иидуктивность внутреннего LC-звена*, типовое значение

2Т930А, КТ930А..............0,44 нГн

2Т930Б, КТ930Б..............0,26 нГн

Емкость внутреннего LC-звена *, типовое значение

2Т930А, КТ930А.............. 450 пФ

2Т930Б, КТ930Б.............. 650 пФ

Индуктивность выводов*, типовое значение 2Т930А, КТ930А эмиттерного

при / = 1 мм..............0,35 нГн

при / = 3 мм..............0,54 нГн

колзекторного

при / = 1 мм..............1,6 нГн

при / = 3 мм..............2,03 нГн

базового

при / = 1 мм..............1,57 нГн

при / = 3 мм.............. 2 05 нГн

2Т930Б, КТ930Б

эмштерного

прп / = 1 мм.............0,24 нГн

при / = 3 мм.............0,43 нГн

колзекторного

при / = 1 мм............. 1,6 нГн

при / = 3 мм.............2,03 нГн

оазового

при / = I мм.............I 42 нГн

при / = 3 мм.............1 84 нГн

Предельные эксплуатациоиные тайные

Постоянное напряжение коттектор-эмиттер при Лбэ < 10 Ом............... 50 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 4 В

Постоянный ток коллектора

2Т930А КТ930А.............. 6 А

2Т930Б КТ930Б.............. 10 А,

Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме при < 313 К

2Т930А, КТ930А............. 75 Вт

2Т930Б, КТ930Б..............120 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус

2Т930А.................1 6 К Вт

2Т930Б.................1 О К Вт

КТ930А.................1,8 К/Вт

КТ930Б.................1 2 К Вт

Температура перехода ............. 433 К

Температура окружающей среды

2Т930А, 2Т930Б..............От 213 то

Гк = 398 К

КТ930А, КТ930Б..............От 233 до

Гк = 358 К

Примечания 1 Дон>скается работа транзисторов при /> 400 МГц, Лвх < 7 Вт 2Т930А, КТ930А и < 18,75 Вт 2Т930Б, КТ930Б и непревышении предельных эксплуатационных режимов

2 Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса методом, не приводящим к нарушению конструкщш и герметичности транзистора Пайку разрешается производить при Г < 543 К в течение времени не более 3 с

Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 4 \тм от корпуса без передачи усития на керамическую часть Kopnvca, без нарушения герметичности и с сочранением обозначения коллекторного вывода

Чистота контактной поверхности теплоотводов должна быть не менее 1,6 Неплоскостность контактной поверхности теплоотводов должна быть не более 0,04 мм Тепловое сопротивление кориус-теплоотвод при нанесении тенлопроводящей смазки типа КПТ 8 (ГОСТ 19783-74) на поверхность теплоотвода транзистора не ботее 0,3 К/Вт