О 0,2 0,4 0,6 0,8 1fll3,A О 4 8 12 16 20 0,8

Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения колзектор-база.

2500 2000 1500 1000 500

1 2 3

Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения эмигтер-база.

5 U3s,B О

10 20 30 и КЗ, В

Зависимость максимально допустимого тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер

50 40 30 20 10

КТ930А. 21950А

f=200 МГц Ui<3=28B-

- 100 100

80 60 40 20

О 1 2 3 4 5 Pf,BT

Зависимости выходной мощности и коэффициента полезного действия от входной мощности.

0 2 4 6 8 10 Pf,,Bj

50 40 30

г 4 в 8 10 Р,,,Вт

100 80 SO 40 20

Зависимости выходной мощности и коэффициента полезного действия от входной мощности

2 4 6 8 10 Р,Вт

Зависимости выходной мощно сти и коэффициента полезного действия от входной мощности

0 2 4 6 8 101,,А

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока котлектора

Гкр >А 30

25 20 15 10 5

8 12 16 20 240,3,8

Зависимость критического тока от напряжения коллектор-эмиттер

2Т931А, КТ931А

Транзистор кремниевый энитаксиально-танарный п-р-п генераторный сверхвысокочастотный

Предназначен для применения в схемах щирокополосных vch-

гот! 03,2

лителей мощности ктасса С, >мно-житетях частоты и автогенераторах на частотах 50-200 МГц при напряжении питания 28 В

Выпускается в металлокера мнческом корпусе с гибкими тен-точными выводами Транзистор содержит внутреннее согласующее iC-звено Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 7 г

выходная мощность при с/кэ = 28 В. /=175 МГц, 7- s: 313 К................ 80 Вт

Коэффиннент усиления по мощности на /=175 МГц при Рвыл = 80 Вт не менее

2Т931А................. 4

КТ931Б................. 3,5

Коэффиннент полезного действия коллектора не

менее................... 50 %

типовое значение .............. 60* %

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером * при С/кэ =5 В, /к = 0,5 А. типовое значение .............. 25

Напряжение насыщения котлектор-эмиттер* при /к = = 0.5 А, /g = 0,I А, типовое значение.....О 09 В

Модуль коэффициента передачи тока при f= 100 МГц,

t/кэ = О В, /к = 5 А не менее........ 2,5

типовое значение.............. 4.0*

Критический ток коллектора* при С/ку = Ю В, /= 100 МГц, типовое значение......... 22 А

Постоянная времени цепи обратной связи * при С/кБ=10 В, /э = 0,5 А, /= 5 МГц, типовое значение ................... 18 пс

Емкость коллекторного перехода при С/кб = 28 В,

/=30 МГц не более............ 240 пФ

типовое значение..............190* пФ

Емкость эмиттерного перехода* при С/эб = О, /= 5 МГц, типовое значение.............. 3200 пФ

Обратный ток коззекгор-эмиттер при С/кэ = 60 В, Лбэ= 10 Ом, Г= 298 К не более.

2Т931А.................20 мА

КТ931А.................30 мА

Обратный ток эмиттера при С/эб = 4 В не более-

при Г = 298 К.............. 10 мА

Индуктивность внутреннего LC-звена *, типовое значение ...................0,43 нГн

Емкость внутреннего LC-звена*, типовое значение . . . 1600 пФ

Индуктивность выводов*, типовое значение, эмиттерното

прп / = I мм..............0,29 нГн

при / = 3 мм.............0,47 нГн

коллекторного

при / = 1 мм..............1.6 нГн

прн / = 3 мм..............2.03 нГн

базового

прн / = I мм.............1,47 нГн

при / = 3 мм..............1,92 нГн