Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при

Лбэ < 10 Ом................ 60 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 4 В

Постоянный ток колтектора.......... 15 А

Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме

при Г, < 313 К.............150 Вт

при Гк = 358 К............. 44 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус.......0,8 К/Вт

Температура перехода............. 433 К

Температура окружающей среды

2Т931А.................От 213 то

Гк = 398 К

КТ931А.................От 213 до

Тк = 358 К

Примечания 1 Допускается работа транзисторов в классах А, А В, В при >словии, что рабочая точка находится в области максимальных режимов

Допускается работа транзисторов при / > 200 МГц, Лз,( < 20 Вт и непревыщении предельных эксплуатационных режимов

2 Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса методом, не приводящим к нарушению конструкции и герметичности транзисторов Пайку разрешается производить при Г < 543 К в течение времени не более 3 с

Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 4 мм от корпуса без передачи усилия на керамическую часть, без нарушения герметичности и с сохранением обозначения коллекторного вывода

Чистота контактной поверхности теплоотводов должна быть не менее 2,5

Неплоскостность контактной поверхности теплоотводов должна быть не более 0,04 мм

Тепловое сопротивление корпус-теплоотвод при нанесении тепло-отводящей пасты типа КПТ-8 (ГОСТ 19783-74) на поверхность теплоотвода транзистора не более 0,3 К/Вт

6 8 10Р,„Вт

Зависимости выходной мощности и коэффициента полезного действия от входной мощности

4 6 8 10 12 Pg„BT

Зависимости выходной мощности и коэффициента полезного действия от входной мощности

8 12 16 20 Pf,,BT

Завнсимости выходной мощности и коэффициента позезного действия от входной мощности

80 60 40 20

4 8 12 16 20 20 Un3,B

Зависимости выходной мощности и коэффициента позезного действия от напряжения коллектор-эмиттер

5 4 3 2 1

12 1,,А

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора

30 20 10

о 4 8 12 16 2003,8

СюпФ

m гоо

Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока коллектора

ктэт

ZT93iA*

о 10 го 30 40 50Uygs

Зависимость емкости коллектор, ного перехода от напряжения коллектор-база.

3400

3 Us3,B

10 го 30 Окз,в

Зависи.мость емкости эмиттерного перехода от напряжения база-эмиттер.

Зависимость максимально допустимого тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер.

2Т934А, 2Т934Б, 2Т934В, КТ934А, КТ934Б, КТ934В, КТ934Г, КТ934Д

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные сверхвысокочастотные.

Предназначены для применения в схемах усилителей мощности класса С, в том числе при амплитудной модуляции в умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 100 - 400 МГи при напряжении питания 28 В.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими теН-точными выводами и монтажным винтом. Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 4,5 г.