10 12 14 IB 18 20 Ukb > В

18 20 22UKb,B

Зависимость выходной мощности и коэффициента полезного действия от напряжения коллектор-база.

Зависимость выходной мощности и коэффициента полезного действия от напряжения коллектор-база

2,0 \

1,8 1,2 0,8 0,4

2Т337А-2, KT9Z7A-2

f=5 ГГц,1 = 1 Вт,

-и,,= 21В

17>% 50

120 140 ISO 180 200 1ц,мА

Зависимость выходной мощности и коэффициента полезного действия от тока коллектора

0,250,3 0,35 0,4 0,451, мА

Зависимость выходной мощности и коэффициента полезного действия от тока коллектора

"в

О

"2 1

f=0,9-1,4ГГц,Uкs=15B Г=1,4-2ГГц ,05=188 -f> 2,5 ГГц, и кб = 21В

О 1 2 3 4 5Г,ГГц 749

-1-1-г-

Р,,„,Р,Вт 2Т937А-2, КТ937А-2

(Кет u)l, 15

ZT937A2, КТ937А-2

~икв = 12В,Р=0,35Вт

-И"

-Схема с ком-

пенсацией, индуктив-jj "ности базы.

Зависимости выходной мощности, рассеиваемой мощности и коэффициента стоячей вотны на входе от фазы коэффициента отражения нагрузки при рас-сопасовании с К. [ = 2 при сопротивлении автоматического смещения, равном н\лю, в режиме оптимальной нагрузки (К,, ик.= и выч= 1.3 Вт, Р = = 1,6 Вт

Зависимость выходной мощности, рассеиваемой мощности и коэффициента стоячей волны на входе от фазы коэффициента отражения нагрузки при рассогласовании с К„ i = 2 при сопротивлении автоматического смещения, равном нутю и при компенсации индуктивности базы внешней емкостью в режиме оптнматьной нагрузки (А,, 1)з,= 1 Рвь,х= 1,4 Вт, Р = = 1,1 Вт

2Т938А-2, КТ938А-2

Транзисторы кремниевые эпитаксиазьно-нтацарные п-р-п генераторные сверхвысокочастотные

Предназначены дтя работы в cxexiax уситения мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне до 5 ГГц в режимах с отсечкой коттекторного тока в герметизир\емой аппаратуре

Выпускаются на керамическом держателе с тенточнымн выводами Условное обозначение тина - черная точка на верхней части держатетя Обозначение тина приводится на этикетке Масса транзистора не ботее 0,15 г

1Э 0.15

7,5-

выходная мощность на / = 5 ГГц, {.кб=20 В, не менее 1 Вт Коэффициент усиления по мощности на /= 5 ГГц при

1 = 20 В, Рвы, = 1 Вт не менее........ 2

типовое значение .............. 3

Коэффициент позезного действия коллектора на /= = 5 ГГц при t/кБ = 20 В, Рвых =1 Вт не менее ... 26 "„

типовое значение.............. 33%

Граничная частота коэффициента передачи тока при

(yg = 3 В. /к = 0,15 А не менее....... 2 ГГц

Критический ток при f/кБ = 3 В, типовое значение ... О 27 А Емкость коззекторного перехода при t кб = 20 В не

бозее................... 4 пФ

Постоянная времени цепи обратной связи при/ = 100 МГц,

t/g=10 В /э = 50 мА не бозее....... 2 пс

типовое значение..............0,6* пс

Активная емкость коззектора при 6кб = 20 В типовое значение...............0,3* пФ

Суммарная активная и пассивная емкость коззектора

при 6кБ = 20 В типовое значение.......1,2* пФ

Емкость коззектор-эмиттер, типовое значение .... 05* пФ Емкость эмиттерного перехода при 6эб = 25 В, типовое значение...............7,5* пФ

Емкость вывода эмиттера относите зьно базы, типовое

значение.................0,35* пФ

Емкость вывода коззектора относитезьно базы, типовое значение...............05* пФ

Сопротивзение базы, типовое значение......15* Ом

Сопротивзение коззектора типовое значение..... I* Ом

Индуктивность вывода базы внутренняя, типовое значение ...................0,17* нГн

Индуктивность вывода эмиттера внутренняя, типовое

значение.................0,3* нГн

Индуктивность вывода колзектора внутренняя, типовое

Значение.................0,5* нГн

Сопротивзение эмиттера, типовое значение.....0,25* Ом

Обратный ток коззектора при t/кБ = 28 В не бозее ... 1 мА Обратный ток эмиттера при t/эБ = 2,5 В не более ... 0,1 мА

Предельные экеплуатациоиные даииые

Постоянное напряжение коллектор-база....... 28 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 2 5В

Постоянный ток коззектора...........018А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при t/кБ < 10 В

при Гк = 298 К.............. 1 5 Вт

Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме

при Гк = 298 К...............2,5 Вт