Тепловое сопротивление переход-корпус.......50 К/Вт

Температура перехода............. 423 К

Температура окружающей среды

2Т938А-2................От 213 до

Т. = 398 к

КТ938А-2................От 228 до

Гк = 358 к

Примечание Держ-атеть транзистора должен припаиваться к теплоотводу при Т < 473 К за время не более 3 с при усн мщ пр1жима 5 Н Допускается прижим держатетя к теплоотводу с усилием 20 Н без пайки

Пайка выводов дотжна производиться на расстоянии не менее 3 мм от держателя, при Г < 423 К допускается пайка на расстоянии до I мм при условии жесткой фиксации основания вывода относитетьно держатетя

0,4 0,3 0,2 0,1

О 100 200 300 4001ц,мА О 2 4 6 8 10U,s,B

Зависимость граничной частоты от тока колтектора

Зависимость критического тока от напряжения котлектор-база

5 4 3 2 1

20 и,в,В

С,пс 0,1

0,6 0,5

О 20 40 80 80 1001з,мА

Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера

КТ938А-г, ZT958A-Z

Ukb = 20В f = 5 ГГц

й 0,6 0,4

Зависимость выходной мощности от входной

О 100 гоо 300 W0 Рв,!,мВт о

20 и кб,в

Зависимость выходной мощности от напряжения коллектор-база

2Т939А, КТ939А

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный п-р-п усилительный сверхвысокочастотный

Предназначен для усилителей класса А с повышенными требованиями к линейности

Выпускается в метал зокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не бозее 2 г

10.S

Электрические параметры

"раничная частота коэффициента передачи тока"

при t/кэ =12 В, /э = 0,2 А не менее .... 2500 МГц

типовое значение.............. 3060* МГц

при t/кэ =15 В, /к = 50 мА не менее..... 2000 МГц

1остоянная времени цепи обратной связи при t/к = 10 В.

/э = 50 мА, /=30 МГц не более....... 9 пс

типовое значение.............. 4,6* пс

Статический коэффициент передачи токаев схеме с общим эмиттером

при t/кэ = 12 В, 4 = 200 мА........ 40 - 200

типовое значение.............. 113*

при 6кэ = 5 В, /« = 50 мА........ 35 - 200

Неравномерность коэффициента передачи тока в режиме матого сигната при бэ = 12 В 4 = 40 - 400 мА не

ботее................... 15

типовое значение .............. 1 25*

Граничное напряжение при /э = 30 мА не менее ... 18 В

типовое значение .............. 28* В

Емкость коттекторного перехода при t/B = 12 В не

ботее................... 5,5 пФ

типовое значение.............. 3 9* пФ

Обратный ток коттектора при t/B = 30 В не ботее ... 1 мА

Обратный ток эмиттера при t/эБ = 3 5 В не ботее . . . 0 5 мА

Емкость эмиттерного перехода* при С-эбо = О • • • • 15 - 23 пФ

типовое значение.............. 17 5 нФ

Обратный ток коттектор-эмиттер* при Сэ = 30 В не

ботее................... 2 мА

Преде.тьиые эксп.туатациониые даииые

Постоянное напряжение котлектор-база

при Г, = 298 - 398 К............ ЗО В

при Гк = 213 К.............. 25 В

Постоянное напряжение колтектор-эмиттер при Лэб = = 10 Ом

при Г, = 298 - 398 К............ 30 В

при Гк = 213 К.............. 25 В

Постоянное напряжение эмиттер-база при Г = 213 - 398 К 3 5В

Постоянная рассеиваемая мощность коттектора

при Гк < 298 К.............. 4 Вт

при Гк = 398 К.............. 0,8 Вт

Температура перехода............. 423 К

Температура окружающей среды......... От 213 до

Гк = 398 К

Примечание При эксплуатации транзисторов в режимах не выходящих за предеты обтасти максиматьных режимов, допускается их применение на низких частотах вплоть до статического режима Пайка выводов допускается при устовии, что температура корП)са в любой точке не будет превыщать 423 К Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 3 мм от корпуса Оба эмиттерных вывода должны быть симметрично соединены в этектрической схеме