120 110 100 90 80 70 SO 50

S,2 J,1 J 2,9 2,8

2,6 2,5 2,1

50 100 150 200 250 JOO J50, мА 50 100 150 200 250 JOO J501, мА

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока котлектора

Зависимость граничной частоты от тока коллектора.

. 9

300 200

О Ч 8 12 16 20 24 Ukb,B О Ч 8 12 16 20 24 03,8

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряження коллектор-база

Зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер.

2Т942А, 2Т942Б, КТ942В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные сверхвысокочастотные.

Презназначены дзя работы в схемах усизения мошности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 0,7 - 2 ГГц в режимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В.

Выпускаются в мета.злокерамическом корпусе с полосковыми выводами Условное обозначение типа дается на верхней части Kopiyca 2Т942.Л - буква А, 2Т942Б - буква Б, КТ942В - буква В и красная точка. Обозначение типа дается также в этикетке.

Масса транзистора не более 2 г.

Эмиттер База-

f<5

Коллектор

7,5-

0,15

Электрические параметры

Выходная мощность на /=2 ГГц при (/«6=28 В, Лвх = 4 Вт

2Т942А, КТ942В не менее.......... 8 Вт

типовое значение.............. 9 Вт

2Т942Б не менее............. 6 Вт

Коэффициент полезного действия коллектора на /=2 ГГц при (7кб=28 В, Рвх = 4 Вт. типовое значение .................... 30",

Модуль коэффициента передачи тока при (/кб = О В,

/э=1.2 А, /= 300 МГц не менее....... 6.5

типовое значение.............. И,4*

Критический ток при t/кБ = О В, /= 300 МГц не менее

2Т942Б, КТ942В.............. 1.5 А

2Т942А................. 1,6 А

типовое значение 2Т942А.......... 2,5 А

Постоянная времени цепи обратной связи при (/кб = Ю В, /э= 150 мА, /= 30 МГц не более

2Т942А................. 2,2 ис

2Т942Б................. 2,5 пс

КТ942В................. 3 пс

Емкость коллекторного перехода при (/кб = 28 В не

более...................22 пФ

типовое значение..............16,5* пФ

Емкость эмиттерного перехода* при (/эб = О, типовое

значение.................110 пФ

Суммарная активная и пассивная емкость коллекторного

перехода* при (/кб = 28 В, типовое значение .... 12.5 пФ Емкость перехода коллектор-эмиттер*, типовое значение ...................2.5 нФ

Активная емкость коллекторного перехода* при (/кб =

= 28 В, типовое значение.......... 2 пФ

Емкость перехода эмиттер-база*, типовое значение ... 2,7 пФ Емкость перехода коллектор-база*, типовое значение. . . 2,0 пФ

противление базы*, типовое значение...... 0,25 Ом

Поеледовательное сопротивление коллектора*, типовое

значение................. 0,25 Ом

Сопротивление эмиттера*, типовое значение..... 0,1 Ом

ИнДУтивность базы внутренняя*, типовое значение . . . 0,14 нГн рлндуктивность эмиттера внутренняя *, типовое значение ................... 0,8 нГн

индуктивность коллектора внутренняя *, типовое значение ................... 1,5 нГн

ремпературный коэффициент критического тока*, типовое

значение................. 0,003 1/К

Температурный коэффициент граничной частоты*, типовое значение................ 0,0006 1/К

Температурный коэффициент сопротивления базы *, типовое значение............... 0,0003 1/К

Обратный ток коллектора при t/кБ = 45 В не более ... 20 мА Обратный ток эмиттера при t/эБ = 3,5 В не более ... 10 мА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база

при Гк < 373 К.............. 45 В

при Гк = Гк мин.............. 40 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 3,5 В

Постоянный ток колзектора........... 1,5 А

Импульсный ток колзектора при т„ = 10 мкс, 2= 100 . . . ЗА

Постоянный ток базы............. 05А

Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме при Г,, < 298 К

2Т942А, КТ942В.............. 25 Вт

2Т942Б................. 22 Вт

Тепзовое сопротивление переход-корпус

2Т942А, КТ942В..............7 К/Вт

2Т942Б.................8 К/Вт

Температура окружающей среды

2Т942А, 2Т942Б..............От 213 до

Гк = 398 К

КТ942В.................От 228 до

Гк= 373 К

Примечания 1 Пайка выводов при Г < 533 К дозжна Производиться на расстоянии не менее 3 мм от корпуса Допускается пайка на расстоянии до 1 мм от корпуса при Г < 398 К прн времени пайки не более 3 с Разрешается пайка корпуса Транзистора к тепзоотводу при Г < 423 К и при скорости изменения температуры при пайке не бозее 1 К/с

2 Работа транзистора в импульсных режимах класса А допускается при т„ < 10 мкс и в непрерывных режимах при (КБ 7 В н Рк < 4,9 Вт