\-2т2А.4

1,0 2,0

Зависимость \10 1)тя коэффициента передачи тока на высокой частоте от тока эмиттера

3,01э,А О

200 1,,мА

Зависимость постоянной време. ни цепи обратной связи от тока коттектора

Ск,пФ 100

100 80 60 40 20

20 Uks,B о

2,0иэБ,В

Зависимость емкости коттекторного перехода от напряжения коттектор-база

Зависимость емкости эмт тер-ного перехода от напряАспия эмиттерг-база

вых, 10

Д Рвых,Вт

Зависимости выходной мощности и коэффициента полезного действия от входной мощности

О 0,2 0,4 0,6 u,ong3,b Зависимости выходной мощности и коэффициента потезного действия от сопротивления база-эмнттер

ктэчгв,

21942 к -

=28 в Г=1ГГц -

О 0,2 0,4 0,6 0,вР,,,вт

Зависимости выходной мощности и коэффициента поэезного действия от вчодной мощности

30 25 20 К 15

<eio

10 15 20 25 30 35

Завнсимость выходной мощности в схеме импутьсното автогенератора от напряжения кол-тектор-база

0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 f, Г Гц

Зависимости выходной мощности и коэффициента позезного действия от частоты в схеме импузьсного автогенератора

0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 Г,ГГц

Зависимость выходной мощности от частоты в схеме импульсного >сизитезя мощности

2Т960А, КТ960А

Транзисторы кремниевые эпитаксиазьно-пзанарные п-р-п генераторные сверхвысокочастотные

Предназначены дзя применения в схемах усизитезей мощности Кзасса С умножите зях частоты и автогенераторах на частотах 100-400 МГц при напряжении питания 12 6 В

Выпускаются в метаз юкерамическом корпусе с гибкими зенточ-ными выводами Транзистор содержит внутреннее согзаеующее i С-звено Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 7 г

го 16

К 12 J 8

Эмиттер Место маркировки

□Г

Коллектор

Электрические параметры

Выходная мощность при t/o = 12 В, /= 400 МГц,

Г, < ЗП К................. 40 Вт

Коэффициент усиления по мощности ирн Pjx = 40 Вт,

f = 400 МГц не менее............ 2,5

типовое значение.............. 3,5*

Коэффициент потезного действия колтектора не менее 60"„

типовое значение.............. 65* °

Напряжение насыщения котлектор-эмиттер при /к =

= 500 мА, /б = 100 мА, типовое значение.....0,08* В

Модуль коэффициента передачи тока при / = 300 МГц.

кэ=10 В, /к = 3 А не менее........ 2

типовое значение.............. 4*

Критический ток коллектора* при (.«э =10 В. / =

= 300 МГц. типовое значение......... 22 А

Постоянная времени цени обратной связи* при (Укб = 5 В,

/э = 500 мА, /=5 МГц, типовое значение .... 12,5 пс Емкость колтекторного перехода* при (Укб =12 В,

У= 30 МГц не более.............120 пФ

типовое значение.............. 82 пФ

Емкость эмиттерного перехода при С/эб = О, /= 5 МГц,

типовое значение..............1200 пФ

Обратный ток коллектор-эмиттер при С/э = 36 В,

Ябэ = 10 Ом не более

при Г = 298 К..............20 мА

при Г = 398 К 2Т960А............40 мА

Обратный ток эмиттера прп С/эб = 4 В не более

при Г = 298 К.............. 10 мА

при Г = 398 К 2Т960А...........20 мА

Индукгивность внутреннего iC-звена*, типовое значение 0,33 нГн