giKOCTb внутреннего ЛС-звена*, типовое значение . . . 610 пФ

,,ц„\ктивность выводов прн /= I мм

эмиттерного............... О 38 нГн

колзекторного.............. 16 нГн

базового................. 0,49 нГн

Предельные экеплуатациоиные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при

< 10 Ом................. 36 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 4 В

Постоянный ток колзектора.......... 7 А

Средняя рассеиваемая мошность в динамическом режиме

при Гк< 313 К............... 70 Вт

при Гк = 398 К 2Т960А........... 20 Вт

Допустимый Kji при Рвых < 40 Вт, fK3= 12,6 в, Г, < 313 К

в течение Зс............... 10

в непрерывном режиме............ 3

Тепзовое сопротивление переход-корпус......1,75 К/Вт

Температура перехода ............. 433 К

Температура окружающей среды

2Т960А.................От 213 до

Гк = 398 К

КТ960Л.................От 233 до

Гк = 358 К

Примечания 1 Допускается работа транзисторов на переменном сигнале в режиме классов А, АВ при усзовии, что рабочая точка находится в области максимальных режимов

Допускается работа транзисторов при / > 400 МГц, Рвх макс < 16 Вт и непревышении предезьно допустимых режимов

2 Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзисторов

Пайку следует производить при температуре жала паяльника не выше 543 К в течение времени не бозее 5 с

Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 4 мм от Корпуса без передачи усизия на керамическую часть корпуса без иар\ шения герметичности и с сохранением обозначения коллекторного вывода

Чистота контактной поверхности теплоотводов должна быть не менее 2,5, непзоскостность не бозее 0,04 мм

Тепловое сопротивление корпус-теплоотвод при нанесении тепло-отводяшей смазки типа КПТ-8 (ГОСТ 19783-74) на поверхность Тепзоотвода транзистора не бозее 0,3 К/Вт

50 W 30

80 40

О 0,г 0,4 0,6 0,8 10Ij,A о 10 20 30 U,s,B

Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера.

Зависимость емкости колтекторного перехода от напряжения коллектор-база

213 273 333 393 Г, К

Зависимость обратного тока колтектор-эмиттер от температуры.

10 8 6 4

2 4 6 8 10 0,3,8

Зависимость максимально допустимого тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер.

5 Pf,,BT

2 4 6 8 10 f,,ST

Зависимость выходнон мощности н коэффициента потезного действия от входной мощности

50 40 J0

8 10 12Pi,,Bt о

8 12 Окэ,8

Зависимости выходной мощности и коэффициента позезного действия от напряжения ко 1зек-тор-э\1нттер

"ги\ 5

4 8 12 16 201к,А

Зависимость модузя коэффициента передачи тока от тока колзектора

hp>A 20

2 4 6 8 10 Uk3,B

Зависимость критического тока от напряжения козлектор-эмиттер

р-п-р

2Т914А, КТ914А

Транзисторы кремниевые эпитаксиазьно-планарные р-п-р мощные сверхвысокочастотные

Предназначены для испозьзования в широкопозосных двухтакт-ны\ \сизитезях мощности на частотах до 400 МГц в паре с транзистором 2Т904А (КТ904А) при напряжении питания до 28 В

Вьшускаются в метаззокерамических корпусах с жесткими вы-<(Аопами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса прибора не более 6 г