Коллектор

Электрические параметры

Выходная мощность при Рвх = 1 Вт, (7кэ = 28 В 2Т914А не менее:

на /= 100 МГц..............7,2 Вт

на /= 400 МГц..............2,5 Вт

Коэффициент полезного действия коллектора при 6кэ = = 28 В. Рвых = 3 Вт-2Т914А не менее:

на /= 400 МГц............. 40%

на /= 100 МГц............. 65%

КТ914А при Рвыч = 2,5 Вт,/= 400 МГц не менее. . . 30% Емкость коллекторного перехода при С-б = 28 В, / =

= 5 МГц не более............. 12 пФ

Критический ток при = Ю В, /=100 МГц не

менее:

2Т914А................. 400 мА

КТ914А................. 250 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при = 28 В, /=100 МГц,

/к = 0,2 А не менее............. 350 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при (/«б = О В. /э = 30 мА. /"=5 МГц не более.

2Т914А................. 15 НС

КТ914А................. 20 НС

Емкость эмиттерного перехода* при (/эб = О не более 170 пФ Обратный ток коллектор-эмиттер прн (/кэ = 65 В,

Лэб = 100 Ом не более............ 2 мА

Обратный ток эмиттера при (.эб = 4 В не более ... 0.1 мА Индуктивность эмиттерного и базового выводов *, типовое значение................ 4 нГ

Емкость эмиттер-кбрпус, база-корпус*, типовое значение ................... 1.3 нФ

Емкость коллектор-корпус*, типовое значение .... 1,8 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер..... 65 В

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер..... 65 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 4 В

Постоянный гок котлектора.......... 08А

Jj,пvьcныйтoккoлeктopaпpит„ < ЮОмкс, g> Ю. . . 1,5 А

0дстоянный ток базы............. 0,2 А

Постоянная рассеиваемая мощность коззектора

при Г, < 298 К.............. 7 Вт

при Гк = 398 К.............. 0,4 Вт

Постоянная рассеиваемая мощность коззекзора в динамическом режиме

при Гк < 313 К.............. 7 Вт

при Гк = 398 К.............. I 5 Вт

Хепзовое сопротивзение переход-корпус....... 16 К/Вт

Температура перехода............. 423 К

Температура окружающей среды.......... От 213 до

Гк = 398 К

%2 1,0

\ 0,4

~1-1-1-1-

2T914A,KT9UA

.Ps, = 1,0Bt,-f= 400 МГц, Т,< = 298К-

О 0,4 1,0

2,0Ре„Вт О 5 10 15 20 25 Окэ,В

Зависимость относите 1ьнои выходной мощности от входной

Зависимость относительной выходной мощности от напряжения коззектор-эмиттер

0,5

0,5 1 1,5 2 Рв,,Вт 213 273 333 Т,К

Зависикюсть относите зьного коэффициента позезного действия 1 03 входной мощности

Зависимость выходной мощности от температуры

Транзисторные сборки, состоящие нз четырех кремниевых эпитаксначьно-планарных п-р-п переключательных высокочастотных маломощных транзисторов

Предназначены дтя применения в переключательных схемах

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса сборки не ботее 0.4 г

Место маркиродки

14 IS 1Z П 10 3

4 5 8 7

Электрические параметры

Напряжение насыщения ко.члектор-эмнттер при 4 = = 400 мА, /б = 80 мА

1НТ251. 1НТ251А не ботее......... IB

типовое значенне.............0.7* В

К1НТ251 не более............. 2 В

Напряжение насыщения эмиттер-база при = 400 мА, /б = 80 мА

1НТ251, IHT251A не более......... 1.5 В

типовое значение............. 1,1* В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при = 5 В, = 200 мА •

1НТ251, 1НТ251А.............30-150

типовое значение.............. 45*

К1НТ251 не менее............. 10

ТРАНЗИСТОРНЫЕ СБОРКИ

п-р-п

1НТ251, 1НТ251А, К1НТ251