од\ 7Ь коэффициента передачи тока прн С/«э = Ю В,

= 30 мА, /"= 100 МГц не менее....... 2

типовое значение.............. 4,5*

Время рассасывания при /к = 150 \iA /5= 15 мА

IHT251 не бозее............. 100 не

типовое значение............. 65* не

1НТ21А К1НТ251 не бозее........ 200 не

типовое значение.............. 120* не

Емкость коззекторного перехода при Lg = 10 В /=

= 2 МГц не бозее............. 15 пФ

типовое значение.............. 8* пФ

Емкость эмиттерного перехода при 03 = 0 /=2МГц

не бозее................. 50 пФ

типовое значение.............. 30 * пФ

Обратный ток коззектора при 6кб = 45 В не более

при Г = 298 К.............. 6 мкА

при 7-= 398 К IHT251 1НТ251А....... 30 мкА

Обратный ток эмпттера при 0- = 4 В не бозее ... 10 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база и коззектор-эмиттер при ЛэБ < 1 кОм

К1НТ251................ 45 В

1HT25I 1НТ251А

при Г„ < 373 К............. 45 В

прн Г„ = 423 К............. 22 В

Постоянное напряжение эущттер-база........ 4 В

Имп\ зьсное напряжение эмиттер-база при т„ < 10 мкс,

Q>2................... 6В

Имп\ зьсное напряжение козлектор-эмиттер при т„ < < 10 мкс Q > 2

К1НТ251 ................ 60 В

1НТ251 1НТ251А

при Г„ < 373 К............ 60 В

при Г„ = 398 К............. 40 В

прп Г„ = 423 К............ 30 В

Постоянный ток колзектора.......... 400 мА

Импузьсный ток колзектора при т„ < 10 мкс, Q > 2 800 мА Постоянная рассеиваемая мощность

при Г < 333 К.............. 0 4 Вт

при Г= 358 К К1НТ251.......... О 16 Вт

при Г= 398 К IHT251, 1НТ251А....... 0,1 Вт

Импузьсная рассеиваемая мощность IHT25I 1НТ251А

прн Г < 333 К............... 10 Вт

прн Г = 398 К.............. 2,5 Вт

Температура перехода

1НТ251, 1НТ251А............. 423 К

KIHT251................ 393 К

Тетовое сопротивление переход-среда....... 218 К/Вт

Температура окружающей среды

1НТ251, 1НТ251А.............От 213 до

398 К

К1НТ251 ................От 238 10

358 К

Примечание Расстояние от корпуса до места пайки (п длине вывода) не менее 1 мм Радиус изгиба выводов до7а;ц быть не менее 0,3 мм расстояние от корпуса до центра OKpv(. ности изгиба не менее 1 мм

При монтаже на плату необходимо учитывать, что корпус сборки имеет металтическое дно и металлическую крышку и ни один из выводов не имеет соединения с дном и крышкой корпуса Выводы / и < свободные

"2)3

100 80 60 W 20

"113

100 80 60 40

о 50 100 150 гоо 2501и,мА О

8 12 16 20 и,з,В

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения копектор-эмиттер

1,2 1,0 0,8 0,6

1HTZ51, К1ИТ251

1,8 1,6

0,8 0,6

о 100 200 300 400 5001„мА О 100 200 300 400 500 I,

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора

Ск,п<Р 12

О 20 40 60 80 100 f, МГц О 10 гО 30 40 50 и к в,в

Зависимость мод) тя коэффициента передачи тока от частоты

Зависимость емкости коттек-торного перехода от напряжения коллектор-база

5 изв,В

Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения база-эмиттер

10 100 100010000 RБ3,0м

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер

2Т381А-1, 2Т381Б-1, 2Т381В-1, 2Т381Г-1, 2Т381Д-1

Парные транзисторы, состоящие из двух отдельных кремниевых ЗДитаксиально-планарных п-р-п транзисторов с раздельными выводами Транзистор 2Т381Г-1 одиночный

15 10