gKOCTb коллекторного перехода при Uke = Ю в, у= 10 МГц не более............8,0 пФ

Предельные эксплуатационные даииые

Напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ О кОм,

/,60 = 10 мкА............... 45 В

Напряжение коллектор-база при /кбо = О мкА .... 45 В Напряжение база-эмиттер при /эбо = О мкА .... 4,0 В

Ток коллектора одиночного транзистора......100 мА

Ток базы одиночного транзистора........ 30 мА

Постоянная рассеиваемая мощность двух транзисторов сборки с допознительным теплоотводом при обеспечении теплового сопротивления подложка-среда не

более 200 К/Вт и Г < 333 К......... 300 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность двух транзисторов сборки с дополнительным теплоотводом при обеспечении теплового сопротивления подложка-среда не более 200 К/Вг, т„ < 10,мкс, 2 > 2 и Г < 333 К . . . 500 мВт Постоянная рассеиваемая мощность одиночного транзистора прц постоянной рассеиваемой мощности

сборки, не превышающей предельную...... 250 мВт

Импузьсная рассеиваемая мощность одиночного транзистора при импузьсной paccehbaevroft мощности

сборки, не превышающей предельную...... 500 мВт

Тепловое сопротивление переход-подложка......100 К/Вт

Температура перехода ............. 423 К

Температура окружающей среды.........От 228 до

358 К

Примечания 1 При монтаже в микросхему максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, рассчитывается по формуле

(423 - Т)

к viasc - „ >

"г п-с

где Rt пс = Рг п-пд + пд-т + т-с. п пд ~ тепловое сопротивление переход-подложка, /?7-„д j - тепловое сопротивление подложка-тепло-отвод, - тепловое сопротивление теплоотвод-среда.

2 Извлечение сборок из герметичной упаковки, входной контроль параметров, монтаж в микросхемы, герметизации микросхем должны осуществляться в помещениях при соблюдении правил вакуумной гигиены, влажности воздуха не выше 65% и температуре (298 + 10) К.

Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до защитного покрытия должно быть не менее 4 мм. Температура жала паяльника должна быть не более 513 К, время пайки - не более 1 мнн. Допускается трехкратная перепайка сборок.

Необходимо принимать меры защиты от статического заряда

10 8 S 4 Z

Входнце характеристики

Z\3 ZOO

о 20 40 60 80 lOOljA

Зависимость статического коэф фициента передачи тока от тока эмиттера

10h 4 6 10h 4 6 10"2 Ч 1,,мА Z1J Z33 ZS3 Z73 293 313 333

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

Зависимость статического коэф фициента передачи тока от тем пературы

1,2 1,1

I 1,0

0,8 0,7 0,6

10 10 10 10 10Чбэ>0м

Зависимость относитетьного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер

2ТС398А-1, 2ТС398Б-1, КТС398А-1, КТС398Б-1

Транзисторные сборки состоящие каждая из двух изготовленных ла одном крнстаззе кремниевых эпитаксиазьно-планарных п р-п уск-итезьных сверхвысокочастотныч мазомощных транзисторов с раздельными выводами

Предназначены дзя применения в герметизированной аппаратуре J широкопозосных базансных дифференциальных и операционных силизезяч и других каскадах, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов

Сборки бескорпусные с гибкими выводами защитным покрытием без кристалзодержатезя Поставзяются в сопроводите зьной таре, позвозяющей без извечения из нее сборок проводить измерение и< электрических параметров

Обозначение типа приводится на этикетке

Масса сборки не бозее 0 005 г

Ноллектор ЗмиттерНоллентор

Электрические параметры

Модуль коэффициента передачи тока при (Уб = 1 в, /э = 2 мА, /=100 МГц не менее....... 10

Постоянная времени цепи обратной связи при Uke = 5 в, /э = I мА, /= 30 МГц не более..... 50 пс

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (Укб =1 в, /э = 1 мА при 7"= 298 К................. 40-250

Отнощение статических коэффициентов передачи тока в Схеме с общим эмиттером при {/«б =1 в, /э = i мА при Г = 298 К