2TC398A-I, KTC398A-I........... 0.8-

2ТС398Б-1.КТС398Б-1............ 0,9-1.i

Разность прямых падений напряжений эмиттер-база при t/кБ = 5 В. /э = 1 мА. Г = 298 К не более

2ТС398А-1. КТС398А-1........... 1.5 мВ

2ТС398Б-1, КТС398Б-1............ 3 О мВ

Обратный ток колтектора при (/«б = Ю В. 7"= 298 К

не более . ................ 0,5 мкА

Обратный ток эмиттера при t/эБ = 4 В не более .... 1.0 мкА Емкость коллекторного перехода при t/g = 5 В,

/=10 МГц не более............. 1.5 пФ

Емкость э.миттерного перехода при (Уэб = 1 В,

/=10 МГ>не более............ 2.0 пФ

Предельные эксплуатациоиные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при

Лбэ < 10 кОм............... 10 В

Постоянное напряжение ко.члектор-база....... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 4.0 В

Постоянный ток коллектора каждого транзистора

сборки.................. 10 мА

Импульсный ток коллектора каждого транзистора сборки

при т„ < 10 мкс и Q > 2............20 мА

Постоянный ток эмиттера каждого транзистора

сборки................. 10 мА

Импульсный ток эмиттера каждого транзистора

сборки при т„ < 10 мкс а Q > 2.......20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность двух транзисторов

сборки при Лгп-с < 1 К/мВт..........30 мВг

Температура окружающей среды . .•.......От 213 до

358 К

Примечание При монтаже сборки в гибридную интегра 1ь-н\ю микросхему и в процессе технологического цикла изготовления микросхем не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и другими элементами конструкции прибора (защитное покрытие кристалла изготовлено на основе кремнийорганического лака).

Пайка (сварка) выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от кристалла; должны быть пргшяты меры, исключаюшпе возможность натяжения и деформации выводов, нарушения защитного покрытия, касания выводами незащищенных частей кристалла и токоведущих частей платы, а также должен быть обеспечен неботьшой свободный провис зaкpeплeннoгo вывода

Температура нагрева сборки не должна превышать 398 К (при пайке или сварке выводов допускается превышение указанной температуры до значения не более 453 К в течение времени, не превышающего 5 с).

8 101з,мА

Зависимость относите 1ьного модуля кОэффи1шента передачи тока от тока эмигтера

8 10 икБ,В

Зависимость относительного модутя коэффициен1а передачи тока от напряжения коттектор-база

<5

О г-

в 8 101з,мА о 2

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

8 10икБ,В

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от напряжения колзектор-база

2,0 -Ь5

КТС398А-1, КТС398Б-1, гТС398А-1, 2ТС39&Б-1

%0,9

2 4-6 8 101э,мА

Зависимость относительной разности прямых падений напряжений эмиттер-база от тока эмиттера

J 0,7

1э =1мА

КТС398А -1, КТС398Б-1- 27С598А-1, 2ГС398Б-1

j \ 1

0 2 4 6 8 10Uks,B

Зависимость относительной разности прямых падений напряжений эмиттер-база от напряжения коллектор-база.

1,8 1,6

1,4 1,2

0,8 0,6

1,8 1,6

t 1,0 0,8 0,6

KTC398A-1J КТО 398Б-1, 2ТС 398 А-1, 270398 Б-1

0 2 4 6 8 101э,мА 0 2 4 6 В 10Uks,8

Зависимость относительной по- Зависимость относительной по-

стоянной времени цепи обрат- стоянной времени цепи обрат-

ной связи от тока эмиттера ной связи от напряжения кол-

тектор-база

КТС398А-1, КТС398Б-1~ 2ТС398А-1, 2ТС398Б-1

1,4 1,2

10,8 0,6

Зависимость относительной емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

0,4 0,2

1 Г ,

JTC398A-1.

КТС398Б-1, . 2ТС598А-1,

2ТСЗд8Б-1

flOMFu,

10U,s,B 0 1 2 3 4 5U3s,B

Зависимость относительной емкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база

2ТС613А, 2ТС613Б, КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г

Транзисторные матрицы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п переключательные

Предназначены для быстродействующих импульсных схем

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса Матрица содержит четыре изолированные транзисторные структуры

Масса матрицы не более 4 г