Импульсная рассеиваемая мощность транзисторной матрицы при т„ < 10 мкс Q > 2 2ТС613А, 2ТС613Б

при Г < 323 К............. 3,2 Вт

при Г = 398 К.............. 0,8 В

КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г

при Г < 323 К............. 3 2 Вт

при Г = 358 К.............0,8 Вт

Импульсная рассеиваемая мощность одной структуры транзисторной матрицы при т,, < 10 мкс, Q > 2 . . . 2 Вт

при Г= 398 К 2TC6I3A, 2ТС613Б.......0,5 Вт

Температура перехода

2ТС613А, 2ТС613Б............. 423 К

КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г..... 393 К

Тепловое сопротивтение переход-корпус......60 К/Вт

Тепловое сопротивление переход-окружающая среда . . 125 К/Вт

Температура окружающей среды

2TC6I3A, 2ТС613Б.............От 213 до

398 К

КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г.....От 228 до

358 К

Примечание Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса матрицы при температуре жала паять-ника не выше 523 К в течение времени не более 5 с Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса матрицы с радиусом закрупения не менее 1,5 мм Допускается любая комбинация н последовательность включения транзисторных структур в матрице при условии, что „ас, одной транзисторной структуры не превышает 0,5 Вт, а мощность, рассеиваемая всей матрицей, 0,8 В при < 323 К Допустимый электростатический потенциал не более 1000 В

КТС631А, КТС631Б, КТС631В, КТС631Г

Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых эпи-таксиально-планарных п-р-п переключательных сверхвысокочастотных мощных транзисторов с раздельными выводами

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса сборки не более 4 г

jjiUl4il4jl4j

"JL

Обозначение выВодод:

2, е, Э, 13- колпектор 1,5,8,12-база 3,7,10, Tl- - эмиттер 4. П - свободный 15-корпус

Электрические параметры

Граничная частота при иэ =10 В, /э = 50 мА не

менее...................

KTC63IA, КТС631Б............ 350 МГц

КТС631В, КТС631Г............ 200 МГц

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = = 450 мА, /б = 45 мА KTC63IA, КТС631Г и /к =100 мА, /б =10 мА КТС631Б, КТС631В не более................... 1,2 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при = 450 мА, /б = 45 мА KTC63IA, КТС631Г и /к = 100 мА, /б =10 мА КТС631Б, КТС631В не более .... 2 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (Уэ =1 В, = 300 мА KTC63IA, КТС631Г и /к = 150 мА КТС631Б, КТС631В не менее................. 20

Емкость коллекторного перехода при t/кБ = Ю В, /= 10 МГц не более............ 15 пФ

Емкость эмиттерного перехода при С/бэ = 0,5 В, /= 10 МГц не более............100 пФ

Постоянная времени цепи обратной связи при

t/кэ = 10 В, /э = 30 мА, /= 5 МГц не более ... 40 не

Время рассасывания при 4=150 мА, 4=15 мА не более

КТС631А, КТС631Б............ 30 НС

КТС631В, КТС631Г............ 60 НС

Обратный ток коллектора при (кэ =кэ макс не более:

КТС631А, КТС631В............. 200 мкА

КТС631 Б, КТС631Г............. 50 мкА

Обратный ток эмиттера при Uj = 4 В не более ... 100 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при = О

КТС631А, КТС631Б............. 30 В

КТС631В, КТС631Г............ 60 В

Постоянное напряжение коллектор-база

КТС631А, КТС631Б............ 30 В

КТС631В, КТС631Г............. 60 В

Постоянное напряжение база-эмиттер....... 4 В

Постоянный ток коллектора

КТС631А, КТС631Г.....;...... 1 А

КТС631Б, KTC63IB............ 0,3 А

Импульсный ток коллектора при t„ < 10 мкс, Q > 50:

КТС631А, КТС631Г............ 1,3 А

КТС631Б, КТС631В............. 0,5 А

Постоянная рассеиваемая мощность транзисторной матрицы при Гк < 328 К............ 1 Вт

Гк = 358 К................. 0,5 В

Импульсная рассеиваемая мощность транзисторной матрицы при т„ < 10 мкс, 2 > 50, Гк < 328 К . . . 3 Вт при Гк = 358 К

КТС631А, КТС631Г............. 1,5 Вт

КТС631Б, KTC63IB............ 0,9 Вт

Температура перехода ............. 393 К

Температура окружающей среды......... От 228 до

358 К

К1НТ661А

Транзисторная сборка, состоящая из четырех кремниевых эпи-таксиально-планарных п-р-п переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.