Предназначена для применения в переключательных схемах Выпускается в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе Масса сборки не более 0,4 г

Место маркиробки

Электрические параметры

Напряжение насыща11ия коллектор-эмиттер при =

= 5 мА, /б = 2 мА\ не более........ 5 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/кБ =10 В, /э = 10 мА не менее .................. 5

Обратный ток коллектор-эмиттер при t/кэ = 250 В, /?ЭБ = 1 Oм не более...........30 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база....... 300 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при

Re3 < 1 кОм............... 250 В

Постоянный ток коллектора.......... 5 мА

Импульсный ток коллектора при / = 400 - 10000 Гц . . . 10 мА

Постоянный ток базы............. 5 мА

Постоянная рассеиваемая мощность (для всей сборки)

при Г < 323 К.............. 0,1 Вт

при Г = 343 К.............. 0,06 Вт

Температура перехода ............. 373 К

Тепловое сопротивление переход-среда....... 500 К/Вт

Температура окружающей среды

От 238 до 343 К

Примечание Сборка должна устанавливаться на печатную плату плотно по всей поверхности корпуса с помощью клея, имеющего кислотных и щелочных составляющих и не допускаю, щего деформацию корпусов в процессе монтажа и эксплуатации (например, клей АК-20 или мастика «ЛИ»)

Расстояние от корпуса до места пайки (по длине вывода) не менее 1 мм, жато паяльника должно быть заземлено

Радиус изгиба выводов должен быть не менее 0,3 мм, рас. стояние от корпуса до центра окружности изгиба ие менее 1 мм

п-р-п и р-п-р

2ТС303А-2, КТСЗОЗА-2

Транзисторная сборка, состоящая из двух кремниевых эпитак-сиально-планарных р-п-р и п-р-п универсальных высокочастотных маломощных транзисторов с раздельными выводами

Предназначена для работы в выходных каскадах операционных усилителей, усилителях и генераторах низкой и высокой частот и генераторах импульсных сигналов герметизированной аппаратуры

Бескорпусная с гибкими выводами и защитным покрытием на кристаллодержателе Сборка помещается в сопроводительную тару, позволяющую без извлечения из нее производить измерение их электрических параметров Обозначение типа приводится на крышке возвратной тары Масса сдвоенных транзисторов не более 0,1 г

База.] КолленторТ Змиттер 1

Змиттер Z аза 2

Электрические параметры

Параметры одиночного транзистора

Граничное напряжение* при = 20 мА, не менее ... 45 В

типовое значение .............. 55 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к =

= 10 мА, /б = 1 мА не более......... 0,2 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 10 мА,

/б= 1 мА.................0,7*-0,9 В

типовое значение.............. 0,75 * В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с обшим эмиттером при (Укб = 5 В /э = I мА

прн Г = 298 К...............40-180

при Г = 398 К.............. 40-280

при Г =213 К...............20-180

}ЛоЯ) коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером на / = 100 МГц при {/«б = 5 В, /3 =

10 мА не менее............. 3

Постоянная времени цепи обратной связи* на /"= 30 МГц

при ОкБ = 10 В, /э = 30 мА......... 30-80 НС

типовое значение.............. 50 не

Емкость коллекторного перехода при 05 = 5 В, / =

= 10 МГц не ботее............. 8 пФ

Обратный ток коллектора при U = 45 В не более

при Г= 298 К и Г= 213 К.........0,5 мкА

при Г = 398 К..............10 мкА

Обратный ток эмиттера при иэ = 4 В не более ... 1 мкА

Параметры сдвоенных транзисторов

Отношение статических коэффициентов передачи тока транзисторов при [/«б = 5 В, /3 = 1 мА не менее

при Г = 298 К.............. 0,7

при Г= 213 К н Г= 398 К......... 0,6

Разность входных напряжений * при U = 5 В, /3 =

= 1 мА не более.............. 30 мВ

3 и повое значение.............. 15 мВ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при

Лбэ < 10 кОм................ 45 В

Постоянный ток коллектор)........... 0,1 А

Импузьсный ток коззектора при т„ < 40 мкс, 2 500 . . . 0,5 А

Постоянный ток базы.............0,03 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллекторов сдвоенных транзисторов (в составе микросхемы)

при Г < 323 К..............0,5 Вт

при Г= 398 К..............0,125 Вт

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора одного транзистора (в составе микросхемы)

при Г < 323 К..............0,25 Вт

при 7 = 398 К............... 0,0625 Вт

Температура перехода ............. 423 К

Температура окружающей среды.........От 213

до 398 К

Примечания 1 При извлечении сдвоенных транзисторов "3 тары, измерении параметров, а также применении и монтаже Должны быть приняты меры, исключающие возможность повреждения транзисторов, в том числе статическим электричеством