2 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощност котлектора, Вт, одного транзистора при 4 = 323 - 398 К опр деляется по формуле

к макс = (423 - Гк)/(400 + Rr, „л к),

где Л/ к пд к - тепловое сопротивление участка 1рамическая под ложка - корпус микросхемы

150 \100

0,35 0,3

0,25

0,15 0,1

I 0,9

0,7 0,6

О 0,2 0,4 0,В 0,8Us3,B 2 t B82 4 6Rs3,0m

0 1

Зависимость тока базы от напряжения база-эмнттер

Зависимость относитетьного максима тьно допустимого на пряжения коллектор-эмиттер от сопротивтення база-эмиттер

Зависимость напряжения насыщения колтектор-эмиттер от ко Эффициента насыщения

"213 110

100 90 80 70 ВО 0,01

Зависимость статического коэффициента пере- дачи тока от тока коллектора

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры.

120 100 80 SO

213 253 293 333 373 Т.К

р-п-р

2ТС393А-1, 2ТС393Б-1, КТС393А, КТС393Б

Транзисторные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных р-п-р усилительных сверхвысокочастотных маломощных транзисторов на одном кристалле с раздедьными выводами

Предназначены для применения в щирокополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов герметизированной аппаратуры

база

оллйнтор дмчттер

Эмиттер

Шйектор

6 &l¬TZ{№©rзсXўЁзѕIБ№Ќ›gu{7] иВХл$јљ^ѓсгRв*wB6GтcЃJ¶бbGсиОp°UИµўХQK+r?љБ\nvnз Э·‚KtqЁ] /ћ€юґжя gю§ѕы®М•Іu`xfЎХ
WиЛ№7U[Ќ¬П©ж-8Ф5­h4‚ЪЮh_Ў“Ю°nсёО Ъэc&њй4чsЯжCj
э ш9,…џvШ°°ЮЌJпRЬлpо…jµY5{%Ш%@Й–cEХчлт)о°HHOeh ЄЛxuµMkgЦУФ–°«ѕQкПS€Чж<йG§™Rt^T+Њ§ДKЎ*РН~¤љ=ћўSCє&
‡КU‚[cйtБС©N@NЄЈт=Љ@NБ7CКs{Ю‘$плдSLЏнЋ™}Цк&ЃжщѕtЌ4·ЙВY З§-ќУPчЉ2м›-€3·~{Чgp6б d~¦±!Н 7ўТ№НoЄ!(.ЖЪЛ€ЯСМґ$с‘:ВBE‡жЙа1ЈШЁ�»ОC&"L}»"]‰АЯKеЋ9]Vа®

0 ... 256257258259260261262 ... 297