2ТСША-1,гТС391Б-1, KTCJ9JA,KTC393E

-Rr = 2520M 1э = 1мА f = ВО МГц

гТС393А-1,гтС393Б -КТС393А,КТС393Б - I I

Ig = 1мА

-R = 2520m

6 8и,э,В

Зависимость коэффициента шума от напряжения коллектор-эмиттер

О 20 W ВО 80 6,МГц

Зависимость коэффициента щу. ма от частоты

КТС394А, КТС394Б

Транзисторные сборки, состояшие каждая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных р-п-р универсальных маломощных транзисторов с раздельными выводами

Предназначены дчя применения в герметизированной аппаратуре в балансных, дифференциальных и операционных усилителях, переключающих и других каскадах, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов

Сборки поставляются в виде наборов из двух отдельных транзисторов Транзисторы бескорпусные с гибкими выводами, защит-

Эмиттер

Коппектор

База

База I

Эмиттер

Коллектор

jj[M покрытием, на металлических подложках, электрически соединенных с выводами коллекторов Сборки упаковываются в герметичную сопроводительную тару Обозначение типа приводится на (•опроводительной таре

Масса сборки не более 0,5 г

Электрические параметры

Граничное напряжение при /э = 5 мА не менее

КТС394А................ 45 В

КТС394Б................ 30 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к =

= 10 мА, /б = 1 мА не более........ 0,3 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 10 мА,

/б = 1 мА не более............. 1,0 В

Модузь коэффициента передачи тока при f/кэ = 5 В,

/э= 10 мА, /= 100 МГц не менее....... 3,0

Разность напряжений база-эмиттер транзисторов сборки

при t/кБ = 5 В, /к = 1 мА КТС394А не более . . . 10,0 мВ Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Укб = 5 В, /3 = 1 мА при Г = 298 К

КТС394А................ 40-120

КТС394Б................ 100 - 300

при Г = 228 К

КТС394А................ 20-120

КТС394Б................ 50-300

при 7"= 358 К

КТС394А не менее............ 40

КТС394Б не менее............ 100

Обратный ток козлектора при f/E = 45 В не более

при Г= 298 К и Г= 228 К........ 0,5 мк А

при 7= 358 К............... 1,0 мкА

Обратный ток эмиттера прн U = 4 В не более .... 0,5 мкА Емкость колзекторного перехода при t/кБ = Ю В, / =

= 10 МГц не более............. 8,0 пФ

Предельные экеплуатацнонные даииые

Постоянное напряжение колзектор-эмиттер при Лбэ

< 10 кОм.....•............ 45 В

Постоянное напряжение коллектор-база...... 45 В

Постоянное напряжение база-эмиткр........ 4 0В

Постоянный ток коллектора даиночного транзистора ......,............. 100 м А

Постоянный ток базы одиночного транзистора .... 30 мА Постоянная рассеиваемая мощность двух транзисторов сборки с дополнительным теплоотводом при Лгпдс<

< 200 К/Вт и J = 333 К........... 300 мВт

Импульсная раосеиваемая мощность двух транзисторов сборки с дополнительным теплоотводом Ргпд-с < 200 К/Вт, Ти < 10 мкс, е > 2 и Г = 333 К . . . . 500 мВт Постоянная рассеиваемая мощность транзистора при постоянной рассеиваемой мощности сборки, не превышающей предельную............ 250 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность одиночного транзистора при импульсной рассеиваемой мощности сборки,

не превышающей предельную......... 500 мВт

Тепловое сопротивление переход-подложка......ГОО К/Вт

Температура перехода............. 423 К

Температура окружающей среды.........От 228

до 358 К

Примечания 1 При монтаже в микросхему максиматьно допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, рассчитывается по формуле

Кмакс = (423 -Г)/Лгп-С,

где R-r„.c = Лт-п пд + Лт-пд т + Лт-т с, " тепловос сопротивление

переход-подложка; Лпд-т - тепловое сопротивление подложка-тепло-отвод; Лт-т-с - тепловое сопротивление теплоотвод-среда.

2. Извлечение сборки из герметичной упаковки, входной контроль параметров, монтаж в микросхемы, герметизация микросхем должны осуществляться в помещениях при соблюдении правил вакуумной гигиены, влажности воздуха не выше 65% и Г = = (298 ±10) К.

Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до защитного покрытия должно бьггь не менее 4 мм. Температура жала паязь-ника должна быть не более 513 К, время пайки не более 1 мин. Допускается трехкратная перепайка сборок. Необходимо принимать меры, предохраняющие сборки от статического заряда.

а 6 ч г

о 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0Ue3,B Входные характеристики.

"213 200

о 20 40 60 80 10013,А