-гг 4 6,1-1 2 46 ,,no2 4Ik,mA Z13 233 253 273 293 313 333 Т,К

10°

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока котлектора

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры

Зависимость относитетьного максимально допустимого на-лряукеиич коттектор-эмиттер от сопротивтения база-эмиттер

1,2 1,1

0,7

10 10 10 10" 10 Rs3,0m

2ТС3103А, 2ТС3103Б, КТСЗЮЗА, КТСЗЮЗБ

Транзисторные сборки, состоящие из двуч кремниевых пзанарных р-п-р усизитезьных сверхвысокочастотных маломощных транзисторов с раздезьными выводами

Предназначены дзя работы в дифференциальных усилитезьных каскадах Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывозами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса сборки не бозее 1,5 г

-коллектор, З-аза 1] Ц-зт.ттер Ь-Ноллеитор •, у- база I) б-эматтер

Электрические параметры

Параметры одиночного транзистора

Модуль коэффициента передачи тока при иь = 5 В,

/э = 3 мА,/= 100 МГц............ 6-13*

типовое значение.............. 9*

Постоянная времени цепи обратной связи при Uk =

= 5 В, /э = 3 мА, /= 30 МГц......... 10*-80 ПС

типовое значение.............. 22* пс

Коэффициент шума* при f/o = 5 В, /э = 1 мА, =

= 150 Ом, /=60 МГц............ 3,6-5 дБ

типовое значение.............. 4,2 дБ

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при/к = ЮмА,

/б = 1 мА.................0,16*-0,6 в

типовое значение.............. 0,29 * В

Напряжение насыщения база-эмиттер* при = 10 мА,

/б = 1 мА................. 0,8-1,1 В

типовое значение.............. 0,9 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при U =1 В, /3 = 1 мА

при Г = 298 К.............. 40-200

типовое значение.............. 113 *

при Г = 358 К.............. 32-600

при г = 228 К не менее.......... 16

Емкость коллекторного перехода* при [/б = 5 В, / =

= 10 МГц................. 1,1-

2,5 пФ

типовое значение.............. 1,3 пФ

Емкость эмиттерного перехода* при С/бэ = 0, / =

= 10 МГц................. 1,05-

2,5 пФ

типовое значение.............. 1,26

Обратный ток коллектора при (7кб=15 В не более

при Г= 298 К и Г= 228 К........ 0,2 мкА

при Г = 358 К.............. 5 мкА

Обратный ток эмиттера при иэ = 5 В не более

при Г= 298 К и Г= 228 К......... 0,5 мкА

при Г = 358 К.............. 5 мкА

Параметры сдвоенных транзисторов

Отношение статических коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/«б = В, /3 = 1 мА, Г = 298 К не менее

2ТС3103А, КТСЗЮЗА........... 0,9

2ТС3103Б, КТСЗЮЗБ............ 0,8

Модуль разности прямых напряжений эмиттер-база прн t/кБ = 5 В, /э = 1 мА не ботее

2ТС3103А, КТСЗЮЗА........... 3 мВ

2ТС3103Б, КТСЗЮЗБ........... 5 мВ

Ток утечки между транзисторами при U = 20 В не более

при Г= 298 К и Г= 228 К........ 0,1 мкА

при Г = 358 К............... 5 мкА

Предельные эксплуатационные даииые

Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер при Лбэ < 5 кОм.......... 15В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 5 В

Постоянный ток коззектора..........20 мА

Импузьсный ток коллектора при т„ < 10 мкс, Q > 2,5 50 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (суммарная двух транзисторов)

при Г < 328 К.............. 300 мВт

при Г = 358 К..............120 мВт

Температура перехода ............ 448 К

Температура окружающей среды

2ТС3103А, 2ТС3103Б...........От 213 до

398 К

КТСЗЮЗА, КТСЗЮЗБ...........От 228 до

358 К

Тепловое сопротивзение переход-среда.......0,4 К/мВт

Примечание Пайка и изгиб выводов допускается на расстоянии не менее I мм от корпуса транзисторной сборки

0,8 0,6 0,4 0,2

2TCJ103A, 2TCS1036, КТСЗЮЗА, - КТСЗЮЗБ 0кэ = 0-

0 0,2 0,4 0,6 0,8U3s,B Входные характеристики

$ II

U 1,2 "В 1,1 1

0 2 4 6 8Uks,B

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база