Импульсная рассеиваемая мошность (для одного транзистора) при х„ < 10 мкс........... 5 Вт

Температура перехода ............. 358К

Тепловое сопротивление переход-среда.......0,084 К/мВг

Температура окружающей среды:

1ТС609А, 1ТС609Б, ITC609B.........От 213

до 343 К

ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В........От 233

до 333 К

Примечание. Изгиб выводов и пайка допускаются на расстоянии не менее 3 мм от корпуса.

h213 125

3 2,5

%1,5

О 100 гоо 300 400 5001з,мА

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

0,5 О

100 200 300 WO 500Ik,mA

Зависимость напряжения насышения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

1 тс609А

Ik=0,5A

100 200 300 400 5001к,мА О 20 40 60 80 100Ц,мА

/226*

0,6 0,5

о 0,4

%о,з

-S-0,2 0,1

60 50

* 40

I 30

= 20

10 О

20 40 60 80 lOOIgM 10 50 100 500 Rssft

Зависимость времени рассасывания от тока базы.

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, КТС622Б

Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных р-п-р переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.

Предназначены для применения в переключательных схемах

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса сборки не более 0,4 г.

14 13 12 11 10 9 8

Место маркиродки

/ 2 J 4 5 5 1

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = = 400 мА, /б = 80 мА: 2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А не более..... 1,3 В

типовор значеипе.............0.7 * В

КТГ622Б не более............. 2 В

Напряжение насыщения эмиттер-база при = 400 мА, /g = 80 мА

2ТС622А, 2ТС622Б. КТС622А не более..... 2,2 В

типовое значение............. 1,1 * В

КТС622Б не более............. 2,5 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с обшим эмиттером при [/«б = 5 В, /э = 200 мА

2ТС622А, 2ТС622Б. КТС622А.........25-150

типовое значение............. 70*

КТС622Б не менее............. 10

[Иодузь коэффициента передачи тока в схеме с обшим эмиттером при = Ю В, = 30 мА, / = = 100 МГц

2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А не менее..... 2

типовое значение............. 4,5*

КТС622Б не менее............. 1,5

Постоянная времени цепи обратной связи при {/«э =

= 10 В, / = 30 мА не более......... 60 не

типовое значение..............22* не

Время включения * при / = 200 мА, /б = 20 мА не

более................... 35 НС

типовое значение.............. 26 не

Время рассасывания* при / = 200 мА, /б = 20 мА.

2ТС622А, КТС622А не более......... 120 не

типовое значение............. 65 не

2ТС622Б, КТС622Б не более......... 200 не

типовое значение.............140 не

Емкость коллекторного перехода* при t/кБ = О В, /=

= 2 МГц не более............. 15 пФ

типовое значение..............4,5 пФ

Емкость эмиттерного перехода * при С/бэ = 0> /= 2 МГц

не более..................60 пФ

типовое значение..............27 пФ

Обратный ток коллектора при Us = 45 В не более

при Т= 298 К..............10 мкА

при Г = 398 К 2ТС622А, 2ТС622Б......100 мкА

Обратный ток эмиттера при С/эб = 4 В не более ... 20 мкА

Предельные экеплуатациоиные даииые

Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер при < 1 кОм 2ТС622А, 2ТС622Б

при Г < 373 К............... 45 В

при Г = 423 К.............. 22 В

прн Г < 343 К

КТС622А................ 45 В

КТС622Б................ 35 В