при Г= 393 К

КТС622А................ 30 В

КТС622Б................ 20 В

Импульсное напряжение копектор-база при т„ < 10 мкс, q> 10

2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А......... 60 В

КТС622Б................ 50 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 4 В

Импутьсное наиряжение эмиттер-база при т„ < 10 мкс,

q> 10 КТС622А.............. 6 В

Постоянный ток колтектора........... 400 мА

Импульсный ток коллектора........... 600 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллекторов рабочих элементов матрицы

при Г < 333 К 2ТС622А, 2ТС622Б......0,4 Вт

при Г < 298 К КТС622А, КТС622Б......0,4 Вт

при Г = 398 К 2ТС622А, 2ТС622Б......0,1 Вт

при 7 = 358 К КТС622А, КТС622Б......0,24 Вт

Импульсная рассеиваемая мощность коллекторов рабочих элементов матрицы при т„ < 10 мкс, Q > 10,

Г 298 К................. 10 Вт

Температура перехода............. 423 К

Тепловое сопротивление нереход-среда.......218 К/Вт

Температура окружающей среды

2ТС622А, 2ТС622Б.............От 213

до 398 К

КТС622А, КТС622Б.............От 238

до 358 К

Примечание. Расстояние от корпуса до места пайки (по длине вывода) не менее 1 мм, жало паяльника должно быть заземлено

Радиус изгиба выводов должен быть не менее 0,3 мм, расстояние от корпуса до центра окружности изгиба не менее 1 мм

h213 70

1,г5

10,75 " 0,5 0,25

О 100 гоо 300 Ш 5001ц,мА о 100 гООЗОО 400 5001ц,мА

2,0 1,75

il,25

0,75

50 25 20 15

10 5

О 100 200 500 Ш 5001к,мА О 5 10 15 20 5005,8

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

Сз,пФ SO

10 5

0 12 3 4 5иэБ,В

Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база

I 0,8

0,7

I 0,6 : 0,5

10 100

Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер

60 50

348 373 398 423 7, К 807

Часть треть ч

СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Р а 1 д е I д е <. ч т ы и

ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ

2П101А. 2П101Б, 2П101В, КП101Г, КП101Д,

КП101Е

Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные потевые с затвором на основе р-п перехода и каналом р-типа

Предназначены для применения во входных каскадах усититетей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением

Выпускаются в метаттостеклянном корпусе с гибкими выводахщ Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не ботее 1.0 г

<PZ,S

inmSop Стон Исток

Электрические параметры

Коэффициент шума при С/си = 5 В, [/3 = 0, / = = 1000 Гц, R, = 1,0 МОм не ботее

2П101А, 2П101Б............. 5 дБ

2П101В................ 10 дБ

КП101Г................ 4 дБ

КП101Д................ 7 дБ

Крутизна характеристики при t/H = 5 В, и-цц = О при Г= 298 К

КП101Г............... 0Л5 мА В

2П101А, 2П101Б, КП101Е........ 03 мА/В

КП101Д............... 0,4 мА/В

2П101В............... 0,5 мА/В

при 7-= 398 К 2П101А, 2П101Б, 2П101В не ботее 0,4 значения

при Г = 298 К

при Г=213 К 2П101А, 2П101Б, 2П101В не

ботее................. 2 значения

при Г = 298 К