![]() | |
НПО Системы Безопасности (499)340-94-73 График работы: ПН-ПТ: 10:00-19:00 СБ-ВС: выходной ![]() ![]() |
Главная » Периодика » Безопасность 0 ... 129130131132133134135 ... 297 ГТ612А-4 при 7-= 298 К............ Ю Обратный ток эмиттера при [/эб = 0,2 В не более 1Т612А-4 при Г=213 К н Г= 298 К.......... 5 при Г = 343 К............... 50 МКА ГТ612А-4 при Г = 298 К............ Ю мкд Емкость коллекторного перехода при [/«б = 5 В не ботее 3 5 Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение колтектор-база....... 12 g Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при /эб < < 10 Ом IT612A-4.............. 8 В Постоянное напряжение эмиттер-база........ 0,2 В Постоянный ток коллектора при Г = 298 К ГТ612А-4 120 мА Импульсный ток коллектора при Г= 298 К, т„ < 10 мкс, Q > 100 1T6I2A-4 .............. 200 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1Т612А-4 при Г = 213 - 308 К............ 360 мВт при Г = 343 К............. 190 мВт ГТ612А-4 при Г = 298 К.......... 360 мВт Рассеиваемая мощность коллектора в режиме усиления мощности и автогенератора при Г= 298 К ГТ612А-4 ........... 570 мВт при Г= 213 - 308 1Т612А-4 .......... 570 мВт при Г = 343 К............... 225 мВт Температура перехода............. 373 К Температура кристаллодержателя IT612A-4..............От 218 до 343 К ГТ612А-4..............От 213 до 343 К Примечание При эксплуатации транзистора обязательно применение теплоотвода, обеспечивающего тепловое сопротивление переход-окружающая среда не более 138 К/Вт
3,4 3,3 3,2
5 6 7 8 9 10ОкБ,В 5 6 7 8 9 100кБ,В lTBl2A-4 . rT6l2A~4 300 250 \ 150 "100
fS 7 8 9 10a,,B 0 20 to 60 80 PgiBT „висимость кпд от напряже-ния колтектор-база Зависимость выходной мощности от входной 3,1 3,0
36 34 32 30 28 26
о 50 100 150 200 FgмВт О 20 40 60 80 Рв,„мВт Зависимость коэффвдиечта уси-кния по мощности от выходной мощности Зависимость КПД от входной мощности 1Т614А Транзистор германиевый пла-шрный п-р-п СВЧ генераторный маломощный Предназначен для работы в генераторных схемах в герметизированной аппаратуре Бескорпусный на керамическом кристаллодержателе с металлизи-Рованными контактными выступа- и покрытым эмалью крис-"ом Обозначение типа приво-*»тея в этикетке Ojacca транзистора не более Эмиттер Виза Коллектор ![]() 200 МВт 10 15 пс 15-250 МКА МКА 5 мкД 10 мкА Предельные экеплуатациоиные данные Постоянное напряжение коллектор-база....... 12 В Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лэб = 0 9 В Посгоянное напряжение эмизтер-база....... 0,5 В Постоянный ток коллектора........... 200 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Г= 213 - 323 К .... ...... 400 мВт при Г = 343 К............... 200 мВт Общее тепловое сопротивление.........100 К/Вт Температура перехода............. 363 К Температура окружающей среды..........От 213 до 343 К Примечание. Температура припоя при монтаже транзистора в схему должна быть не выше 503 К Время пайки не должно превышать 3 с. 400 300 tzoo 100 О
аз S %100
8 U,s,B 200 400 600 вииг,""- Выходная мощность при (/«Б = 9 В, /к = 70 мА / = 500 МГц в схеме с общей базой не менее . . Модуль коэффициента передачи тока при (/«э = 5 В /к = 50 мА, /=100 МГц не менее......[ Постоянная времени цепи обратной связи при t/g = 5 В, /э = 50 мА,/= 30 МГц не более........[ Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при С/кб = 5 В, /э = 50 мА..... Обратный ток коллектора при С/кб=2 В не более при Г = 213 К и 298 К............ при Г = 343 К............... Обратный ток эмиттера при t/эБ = 0,5 не более при Г =213 и 298 К........... при Г = 343 К.............. 0 ... 129130131132133134135 ... 297 |