ГТ612А-4 при 7-= 298 К............ Ю

Обратный ток эмиттера при [/эб = 0,2 В не более 1Т612А-4

при Г=213 К н Г= 298 К.......... 5

при Г = 343 К............... 50 МКА

ГТ612А-4 при Г = 298 К............ Ю мкд

Емкость коллекторного перехода при [/«б = 5 В не ботее 3 5

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение колтектор-база....... 12 g

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при /эб <

< 10 Ом IT612A-4.............. 8 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 0,2 В

Постоянный ток коллектора при Г = 298 К ГТ612А-4 120 мА Импульсный ток коллектора при Г= 298 К, т„ < 10 мкс,

Q > 100 1T6I2A-4 .............. 200 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1Т612А-4

при Г = 213 - 308 К............ 360 мВт

при Г = 343 К............. 190 мВт

ГТ612А-4 при Г = 298 К.......... 360 мВт

Рассеиваемая мощность коллектора в режиме усиления мощности и автогенератора

при Г= 298 К ГТ612А-4 ........... 570 мВт

при Г= 213 - 308 1Т612А-4 .......... 570 мВт

при Г = 343 К............... 225 мВт

Температура перехода............. 373 К

Температура кристаллодержателя

IT612A-4..............От 218 до 343 К

ГТ612А-4..............От 213 до 343 К

Примечание При эксплуатации транзистора обязательно применение теплоотвода, обеспечивающего тепловое сопротивление переход-окружающая среда не более 138 К/Вт

3,4 3,3 3,2

5 6 7 8 9 10ОкБ,В 5 6 7 8 9 100кБ,В

lTBl2A-4 . rT6l2A~4

300 250

\ 150

"100

fS 7 8 9 10a,,B 0 20 to 60 80 PgiBT

„висимость кпд от напряже-ния колтектор-база

Зависимость выходной мощности от входной

3,1 3,0

36 34 32 30

28 26

о 50 100 150 200 FgмВт О 20 40 60 80 Рв,„мВт

Зависимость коэффвдиечта уси-кния по мощности от выходной мощности

Зависимость КПД от входной мощности

1Т614А

Транзистор германиевый пла-шрный п-р-п СВЧ генераторный маломощный

Предназначен для работы в генераторных схемах в герметизированной аппаратуре

Бескорпусный на керамическом кристаллодержателе с металлизи-Рованными контактными выступа- и покрытым эмалью крис-"ом Обозначение типа приво-*»тея в этикетке

Ojacca транзистора не более Эмиттер

Виза Коллектор

200 МВт 10 15 пс 15-250

МКА МКА

5 мкД 10 мкА

Предельные экеплуатациоиные данные

Постоянное напряжение коллектор-база....... 12 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лэб = 0 9 В

Посгоянное напряжение эмизтер-база....... 0,5 В

Постоянный ток коллектора........... 200 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

при Г= 213 - 323 К .... ...... 400 мВт

при Г = 343 К............... 200 мВт

Общее тепловое сопротивление.........100 К/Вт

Температура перехода............. 363 К

Температура окружающей среды..........От 213 до

343 К

Примечание. Температура припоя при монтаже транзистора в схему должна быть не выше 503 К Время пайки не должно превышать 3 с.

400 300

tzoo

100 О

аз S

%100

8 U,s,B

200 400 600 вииг,""-

Выходная мощность при (/«Б = 9 В, /к = 70 мА

/ = 500 МГц в схеме с общей базой не менее . . Модуль коэффициента передачи тока при (/«э = 5 В

/к = 50 мА, /=100 МГц не менее......[

Постоянная времени цепи обратной связи при t/g = 5 В,

/э = 50 мА,/= 30 МГц не более........[

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим

эмиттером при С/кб = 5 В, /э = 50 мА.....

Обратный ток коллектора при С/кб=2 В не более

при Г = 213 К и 298 К............

при Г = 343 К...............

Обратный ток эмиттера при t/эБ = 0,5 не более

при Г =213 и 298 К...........

при Г = 343 К..............