„„ f/.g = 2,5 в............. 5 мА

п"?::йв=з«.............. -

nfus.-2S..............60 МКА

при С/эб=3 В........ 1 мА

колтекторного перехода при t/кБ = 5 В не

".ТЗЗА, 1Т335Б..............8,5 пФ

,Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д........... 10 пФ

Е мкость эмиттерного перехода при [/эб = 1 В не более 35 пФ

Предельные эксплуатационные данные

пл:тоянное напряжение коллектор-база

""при Г= 213-318 К............ 20 В

Г= 343 К.............. 15 В

Постоянное напряжение колтектор-эмиттер при С/эб > 0-5 В

при Г= 213-318 К............ 19 В

при Г = 343 К.............. 14 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при угБЭ < 1 кОм 1Т335А, 1Т335Б

при Г = 213 - 318 К........... 17 В

при Г = 343 К............. 14 В

1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д

при Г= 213 - 318 К............ 14 В

при Г = 343 К............. 11 В

Постоянное напряжение эмиттер-база

при Г= 213 - 318 К............ 3 В

при Г= 343 К.............. 2,5 В

Импульсное напряжение коллектор-база при [/эб < 2 В, т„ < 10 мкс, Q> 10 IT335A, 1Т335Б

при Г= 213 - 318 К............ 35 В

при Г = 343 К............. 30 В

1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д

при Г = 213 - 318 К........... 30 В

при Г = 343 К............. 25 В

Импутьсное напряжение коллектор-эмнттер при эб > 0,5 В, т„ < 10 мкс, Q> 10

при Г= 213 - 318 К............ 25 В

при Г = 343 К.............. 20 В

Импульсное напряжение эмиттер-база при т., < 250 мкс, Q> 10

прц Г= 213 - 318 К............ 4 В

при Г= 343 К............... 3,5 В

"остоянный ток колтектора

при Г= 213 - 318 К............150 мА

при Г = 343 К..............100 мА

Импульсный ток колтектора при t„ < 50 мкс, Q > 5

при Г = 213 - 333 К............ 250

„ "Р" =3« К.............. ,50

Постоянная рассеиваемая мощность.

"Р« =23-8 X............ 200 МВт

при Г = 343 К.............. 67 МВт

Импульсная рассеиваемая мощность при (/«э < кэо гр, т„ < 50 мкс, Q> S

при Г= 213 - 333 К............ 500 МВт

при 7= 343 К.............. 350 МВт

Общее тепловое сопротивление......... ЗОО Кв

Температура перехода............. 363 К

Температура окружающей среды......... От 213

до 343 К

Ь2 1,0

i 0,6

5? 0,4

О, г

11,0 0,8 0,6 0,1

О 50 100 150 200 Z50I,f,MA 213 233 253 273 293 313 Т,К

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры

1,4 1,2

0,4 0,2

<j,6 i0,5 0.4

0,3 0,2

0 50 100 150 200 Z50Ik,mA 213 233253 273 293 313 T,K

213 2ZZ 253 273 293 313Т,К

Зависимость времени рассасывания от температуры

1,1 1,0

- 0,8

0,8 0,5

0,4

213 233 253 273 293 313 Т,К

Зависимость времени рассасывания от температуры

КТ337А, КТ337Б, КТ337В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р СВЧ универсальные матомощные

Предназначены для применения в переключательных, импульсных и усилительных высокочастотных схемах

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами На корпусе наносится условная маркировка двумя цветными точками на КТ337А - красной и розовой, на КТ337Б - красной и желтой, на КТ337В - красной и синей

Масса транзистора не ботее 0,5 г

Электрические параметры

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/кэ = 5 В, /э = Ю мА не менее

КТ337А................. 500 МГц

КТ337Б, КТ337В............. 600 МГц

Время рассасывания при /к = 10 мА, /б = /б2 = 1 мА

не более

КТ337А................. 25 нс

КТ337Б, КТ337В.............. 28 не