![]() | |
НПО Системы Безопасности (499)340-94-73 График работы: ПН-ПТ: 10:00-19:00 СБ-ВС: выходной ![]() ![]() |
Главная » Периодика » Безопасность 0 ... 169170171172173174175 ... 297 ![]() 30,5 ![]() 1отВ.ФЗ,5 Ф17,1 Ф11 Электрические параметры Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: при /« = 4 А, /g = 0,5 А не более: П216, П216А............... 0,75 В П217, П217А, П217Б, П217Г......... 1,0 В при /к = 2 А, 4 = 0,3 А П216Б, П216В, П216Д, П217В не более............... 0,5 А Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 3,5 А, /б = 0,5 А- П216, П217 не более............ 1,5 В П217Б.................. 0,6-0,9 В П217 не более............... 0,8 В Обратный ток коллектора не более: при Г= 293 К: при t/кБ = 35 В: П216Б................ 1,5 мА П216В................ 2 мА при С/кБ = 40 В П216, П216А........ 0,5 мА при Uks = 50 В: П216Г................ 2,5 мА П216Д................ 2 мА при С/кБ = 60 В: П217, П217А, П217Б........... 0,5 мА П217В, П217Г............. 3 мА при Г= 343 К: при С/кб = 35 в П216Б, П216В....... 7,5 мА при (7кБ = 40 В П216, П216А....... 4,5 мА при С/кБ = 50 В П216Г, П216Д....... 7,5 мА при t/кБ = 60 В: П217, П217А, П217Б........... 5 мА П217В, П217Г.............. 7,5 мА Обратный ток коллектор-эмиттер при /g = О не более: при С/кэ = 30 В П216, П216А......... 40 мА при С/кэ = 45 В П217, П217А, П217Б...... 50 мА Обратный ток коллектор-эмнттер при Лбэ = О не более при t/кэ = 35 В П216Б, П216В.......20 мА при [/кэ = 50 в П216Г..................50 П216Д.................20 МА при t/кэ = 60 В П217В, П217Г........20 мА Обратный ток эмиттер-база при t/эБ =15 В не более при Г = 293 К П216, П216А, П217, П217А, П217Б.....0,4 мА П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г 0 75 мА при Г = 343 К П216, П216А, П217, П217А, П217Б...... 4 П216Б, П216В, mi6r, П216Д, П217В, П217Г 7 мА Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме матого сигнала при t/кэ = 5 В, /к = 1 А П216А.................20-80 П217А.................20-60 П217Б не менее............ 20 прн t/кэ = 3 В, /к = 2 А П216Б не менее............. 10 П216В не менее............. 30 П216Г ие менее............. 5 П216Д................. 15-30 П217Г................. 15-40 Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Скэ = 0,75 В, /к = 4 А П216 не менее 18 при t/кэ = I В, /к = 4 А П217 не менее..... 15 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой при t/кБ = Ю В, 7к = 0,1 А не менее 100 кГц Плавающее напряжение эмиттера не более при t/кБ = 35 В П216Б, П216В........ 0,5 В при t/кБ = 40 П216, П216А......... 0.3 В при t/кБ = 50 В П216Г, П216Д........ 0,5 В при [/кб = 60 в П217, П217А, П217Б........... 0,3 В П217В, П217Г.............. 0,5 В Предельные эксплуатациоиные даииые Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмнттер при Лбэ = О П216Б, П216В............... 35 В П216, П216А............... 40 В П216Г, П216Д............... 50 В П216, П217А, П217Б, П217В, П217Г...... 60 В Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при /б = О П216, П216А............... 30 В П217, П217А, П217Б............ 45 В тоянное напряжение эмиттер-база........ 15 В постоянный ток коллектора........... 7,5 А Постоянный ток базы.............0,75 А Постоянная рассеиваемая мощность при < 298 К П216, П216А, П217, П217А, П217Б ... 30 Вт П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г 24 Вт при Г, = 343 К П216, П216А, П217, П217А, П217Б......7,5 Вт П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г 6 Вт Температура перехода............. 358 К Тепловое сопротивление переход-корпус П216, П216А, П217, П217А, П217Б.......2 К/Вт П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г 2,5 К/Вт Температура окружающей среды..........От 213 до Гк = 343 К Примечание При эксплуатации транзистор с помощью накидного фланца должен быть жестко закреплен на металлическом шасси или на специальном теплоотводе со шлифованной поверхностью Перед креплением транзистора контактирующие поверхности рекомендуется смазывать невысыхаЮ1цим маслом Диаметр отверстия в теплоотводе под выводы транзистора должен быть ие более 5 мм При необходимости электрической изоляции корпуса (коллектора) транзистора от шасси или теплоотвода между транзистором и теплоотводом рекомендуется ставить прокладку из оксидированного алюминия или слюды Суммарное тепловое сопротивление между переходом и теплоотводом увеличивается на 0,5 К/Вт на каждые 50 мкм слюдяной прокладки или на 0,25 К/Вт на каждые 50 мкм слоя окиси алюминия nzi6,mi8A~mi6A} \-mi7,mi7A-mnr\ ![]() о о,г 0,4 0,6 0,8 1,оиэБ,в о ![]() 0 ... 169170171172173174175 ... 297 |