30,5

1отВ.ФЗ,5 Ф17,1 Ф11

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: при /« = 4 А, /g = 0,5 А не более:

П216, П216А............... 0,75 В

П217, П217А, П217Б, П217Г......... 1,0 В

при /к = 2 А, 4 = 0,3 А П216Б, П216В, П216Д,

П217В не более............... 0,5 А

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 3,5 А, /б = 0,5 А-

П216, П217 не более............ 1,5 В

П217Б.................. 0,6-0,9 В

П217 не более............... 0,8 В

Обратный ток коллектора не более: при Г= 293 К:

при t/кБ = 35 В:

П216Б................ 1,5 мА

П216В................ 2 мА

при С/кБ = 40 В П216, П216А........ 0,5 мА

при Uks = 50 В:

П216Г................ 2,5 мА

П216Д................ 2 мА

при С/кБ = 60 В:

П217, П217А, П217Б........... 0,5 мА

П217В, П217Г............. 3 мА

при Г= 343 К:

при С/кб = 35 в П216Б, П216В....... 7,5 мА

при (7кБ = 40 В П216, П216А....... 4,5 мА

при С/кБ = 50 В П216Г, П216Д....... 7,5 мА

при t/кБ = 60 В:

П217, П217А, П217Б........... 5 мА

П217В, П217Г.............. 7,5 мА

Обратный ток коллектор-эмиттер при /g = О не более:

при С/кэ = 30 В П216, П216А......... 40 мА

при С/кэ = 45 В П217, П217А, П217Б...... 50 мА

Обратный ток коллектор-эмнттер при Лбэ = О не более

при t/кэ = 35 В П216Б, П216В.......20 мА

при [/кэ = 50 в

П216Г..................50

П216Д.................20 МА

при t/кэ = 60 В П217В, П217Г........20 мА

Обратный ток эмиттер-база при t/эБ =15 В не более при Г = 293 К

П216, П216А, П217, П217А, П217Б.....0,4 мА

П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г 0 75 мА при Г = 343 К

П216, П216А, П217, П217А, П217Б...... 4

П216Б, П216В, mi6r, П216Д, П217В, П217Г 7 мА Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме матого сигнала при t/кэ = 5 В, /к = 1 А

П216А.................20-80

П217А.................20-60

П217Б не менее............ 20

прн t/кэ = 3 В, /к = 2 А

П216Б не менее............. 10

П216В не менее............. 30

П216Г ие менее............. 5

П216Д................. 15-30

П217Г................. 15-40

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером

при Скэ = 0,75 В, /к = 4 А П216 не менее 18

при t/кэ = I В, /к = 4 А П217 не менее..... 15

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме

с общей базой при t/кБ = Ю В, 7к = 0,1 А не менее 100 кГц Плавающее напряжение эмиттера не более

при t/кБ = 35 В П216Б, П216В........ 0,5 В

при t/кБ = 40 П216, П216А......... 0.3 В

при t/кБ = 50 В П216Г, П216Д........ 0,5 В

при [/кб = 60 в

П217, П217А, П217Б........... 0,3 В

П217В, П217Г.............. 0,5 В

Предельные эксплуатациоиные даииые

Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмнттер при Лбэ = О

П216Б, П216В............... 35 В

П216, П216А............... 40 В

П216Г, П216Д............... 50 В

П216, П217А, П217Б, П217В, П217Г...... 60 В

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при /б = О

П216, П216А............... 30 В

П217, П217А, П217Б............ 45 В

тоянное напряжение эмиттер-база........ 15 В

постоянный ток коллектора........... 7,5 А

Постоянный ток базы.............0,75 А

Постоянная рассеиваемая мощность при < 298 К

П216, П216А, П217, П217А, П217Б ... 30 Вт

П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г 24 Вт при Г, = 343 К

П216, П216А, П217, П217А, П217Б......7,5 Вт

П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г 6 Вт

Температура перехода............. 358 К

Тепловое сопротивление переход-корпус

П216, П216А, П217, П217А, П217Б.......2 К/Вт

П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г 2,5 К/Вт

Температура окружающей среды..........От 213 до

Гк = 343 К

Примечание При эксплуатации транзистор с помощью накидного фланца должен быть жестко закреплен на металлическом шасси или на специальном теплоотводе со шлифованной поверхностью Перед креплением транзистора контактирующие поверхности рекомендуется смазывать невысыхаЮ1цим маслом Диаметр отверстия в теплоотводе под выводы транзистора должен быть ие более 5 мм

При необходимости электрической изоляции корпуса (коллектора) транзистора от шасси или теплоотвода между транзистором и теплоотводом рекомендуется ставить прокладку из оксидированного алюминия или слюды Суммарное тепловое сопротивление между переходом и теплоотводом увеличивается на 0,5 К/Вт на каждые 50 мкм слюдяной прокладки или на 0,25 К/Вт на каждые 50 мкм слоя окиси алюминия

nzi6,mi8A~mi6A} \-mi7,mi7A-mnr\

о о,г 0,4 0,6 0,8 1,оиэБ,в о