Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 0,7 г

Электрические параметры

Граничное напряжение при /3 = 100 мА, т„ < 300 мкс, g > 100 не менее

KT8I6A................. 25 В

КТ816Б................. 45 В

КТ816В................. 60 В

КТ816Г................. 80 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /« = 3 А,

/б = 0,3 А не более............. IB

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 3 А,

/б = 0,3 А не более............. 1,5 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/o=2 В, 4 = 2 А не менее

при Гк= 298 - 373 К............ 25

при Г = 233 К............... 15

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме

с общим эмиттером при Us = Ю В, = 0,25 А не менее 3 МГц Емкость коллекторного перехода при (Укб = О В,

/= 465 кГц не бозее............60 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (7эб=0,5 В,

У = 465 кГц не более.............115 пФ

Обратный ток коллектора при [/«б = 25 В KT8I6A, при (7кБ = 45 В КТ817Б, при С/б = 60 В КТ816В, при С/кБ= 100 В КТ816Г не более

при Гк = 298 К..............100 мкА

при Гк = 373 К.............. 3000 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение козлектор-эмиттер при /б = О

KT8I6A................. 25 В

КТ816Б................. 45 В

KT8I6B................. 60 В

КТ816Г................. 80 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ < < 1 кОм

КТ816А................. 40 В

КТ816Б................. 45 В

КТ816В................. 60 В

КТ816Г................. 100 В

Постоянное напряжение база-эмиттер........ 5 В

Постоянный ток коллектора........... 3 д

Импульсный ток коллектора при х,, < 20 мс, Q > 100 . . . 6 А

Постоянный ток базы............. 1 д

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

с теплоотводом при = 233 - 298 К...... 25 Вт

без теплоотвода при Г= 233 -298 К..... 1 Вт

Температура перехода ............. 398 К

Температура окружающей среды.........От 234 до

Т, = 373 К

Примечание Пайку выводов разрешается проводить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса При пайке жато паяльника должно быть заземлено

Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5 - 2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус Изгиб в плоскости выводов не допускается

При монтаже транзисторов на теплоотвод крутящий момент при нажиме не должен превышать 70 Н см

\ I ктвш-ктвкг \ I ГШ

0,8 « 0,В

"0,2 О

100 80 20

10 20 4060100200 6001000 то 1„,мА

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

1 г 4 610 20 4060100 400 1000 1э,мА

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

25 20

..15

1 10

-1-\-

КТ816А--КТ816Г-

~КТ816АКТ816Г-

213 253 293 333 373Т,,,К

Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса

Z2£\„=423K-

1 О/ 0,4

0,1-

/ 2 4 6810 20 40 Uk3,B

2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ

Транзисторы кремниевые меза эпитаксиазьно пзанарныеуниверсальные низкочастотные мощиые

Предназначены дзя применения в усилите 1ях низкой частоты, операционных и дифференциа зьных усилителях, преобразователях и импузьсных схемах

Транзисторы КТ818А, КТ818Б, KT8I8B, КТ818Г выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами (вариант 1), транзисторы 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, KT8I8AM, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ - в метазлостек 1янн0м корпусе с жесткими выводами (вариант 2) Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г не более 2,5 г, траншсторов 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ не более 15 т

10, S5

вариант 1

Змиттер Вариант Z

13 10,3

Коллектор

Эмиттер R4,65 2отв04,1