|
| |
|
НПО Системы Безопасности (499)340-94-73 График работы: ПН-ПТ: 10:00-19:00 СБ-ВС: выходной   |
Главная » Периодика » Безопасность 0 ... 228229230231232233234 ... 297
10 5 4 8 12 16 20U,s,B О 1
J и. Зависимость относительной емкости котлекторного перехода от напряжения коттектор-база Зависимость емкости эмиттер, ного перехода от напряжения эмиттер-база 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, КТ913А, КТ913Б, КТ913В Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные сверхвысокочастотные Предназначены дтя работы в схемах усиления мощности, 1ене-рирования, умножения частоты в диапазоне 200-1000 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В Выпускаются в герметичном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами Обозначение типа указывается на корпусе Масса транзистора не более 1,6 г Змиттер .База Эмиттер
11,5 0,15 15,7 Электрические параметры Выходная мощность на /= 1 ГГц при (Уэ = 28 В не менее 2Т913А, КТ913А.............. 2Т913Б, КТ913Б.............. Вт Вт 2Т913В, KT9I3B.............. ((оэффициент усиления по мощности на /= 1 ГГц при t кэ = 28 В 2Т913А при Рвык = 3 Вт, типовое значение 2Т913Б при Рвых = 5 Вт, типовое значение 2Т913В при = 10 Вт, типовое значенпе КТ91 ЗА при Рдых = 3 Вт не менее .... КТ913Б при Рвых = 5 Вт не менее . . КТ913В при Рв 10 Вт не менее Коэффициент полезного действия коллектора на /= 1 ГГц при Ькэ = 28 В 2Т913А при Рвых = 3 Вт, типовое значение .... 2Т913Б при Рвых = 5 Вт, типовое значение .... 2Т913В при Рвьи = О Вт, типовое значение .... КТ913А при Рвых = 3 Вт не менее...... КТ913Б при Рвых = 5 Вт не менее....... КТ913В при Рвых=10 Вт не менее...... Граничная частота коэффициента передачи то.ка при 64=10 В 2Т913А, КТ913А при /к = 200 мА; 2Т;13Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ913В при /к = 400 мА не менее ................. Критический ток при t/кэ = Ю В не менее 2Т913А................. 2Т913Б ................. 2Г913В................. Емкость коллекторного перехода при С/кб = 28 В не бо lee :Т913А................. 2Т913Б ................. 2Т913В, КТ913Б.............. КТ913А................. КТ913В................. Постоянная времени цепи обратной связи при /=30 МГц, СкБ = 10 В, /= 50 мА не более 2T9I3A, КТ913Б, КТ913В.......... 2Т913Б, 2Т913В .............. КТ913А ................. Активная емкость коллектора* при С/кб = 28 В, типовое значение- 2Т913А, КТ913А.............. 2Т913Б, КТ913Б.............. 2Т913В. KT9I3B.............. Суммарная активная и пассивная емкость коллектора* при С/к б = 28 В, типовое значение. 2Т913А, КТ913А.............. 2Т913Б, КТ913Б.............. 2Т913В, КТ913В.............. Емкость коллектор-эмнттер*, типовое значение: 2Т913А, КТ913А.............. 2Т913Б, КТ913Б.............. 10 Вт 2,5 2,5 2,5 45% 55% 40 % 40% 50% 900 МГц 0,4 А 0,8 А 1,6 А 6 пФ 10 пФ 12 пФ 7 пФ 14 пФ 15 ПС 12 ПС 18 ПС 1,3 пФ 2,5 пФ 2,7 пФ 4 пФ 8,0 пФ 8,2 пФ 2Т913В, КТ913В..............1,5 пф Сопротивление эмиттера*, типовое значение: 2T9I3A, KT9I3A..............0,15 Ом 2Т913Б, КТ913Б..............0,1 Ом 2Т913В, КТ913В..............0.05 Оч, Сопротивление базы* типовое значение: 2Т913А, КТ913А.............. 3 Ом 2Т913Б, КТ913Б..............1,5 Ом 2Т913В, КТ913В............-. . 1,1 Ом Индуктивность вывода базы * на расстоянии 3 мм от корпуса, типовое значение: 2Т913А, КТ913А.............. 3 нГн 2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, KT9I3B.......2,5 нГн Индуктивность вывода коллектора* на расстоянии 3 мм от корпуса 2T9I3A, КТ913А. 2Т913Б. КТ913Б. 2T9I3B, KT9I3B, типовое значение...........2 нГн Индуктивность вывода эмиттера* при заземлении обоих выводов у основания, типовое значение: 2Т913А, КТ913А..............0,55 нГп 2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ913В........0,25 нГн Граничное напряжение коллектор-эмнттер при = 75 мА 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В не менее........ 30 В Емкость эмиттерного перехода * при t/эБ = О, типовое значение• 2Т913А, КТ913А............. 45 „ф 2Т913Б, КТ913Б, 2T9I3B, КТ913В...... 90 „Ф Напряжение насыщения коллектор-эмиттер * при /„ = 250 мА, /б = 30 мА, типовое значение .... о,28 В Напряжение насыщения база-эмиттер* при Д = 250 мА. /б = 30 мА, типовое значение........ 1.0 В Обратный ток коллектор-эмнттер при t/g = 55 В, Лэб = 10 Ом пе более- 2Т913А................. 10 мА 2Т913Б, 2Т913В..............20 мА КТ913А.................25 мА . КТ913Б, KT9I3B..............50 мА Обратный ток эмитгера при С/эб = 3,5 В не более: 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В.......... 1 мА КТ913А, КТ913Б, КТ913В..........1,5 мА Полное входное сопротивление в динамическом режиме* на /=1 ГГц -при t/o = 28 В, типовое значение- 2Т913А при Рвы, = 3 Вт..........(3-1-720) Ом 2Т913Б прн Р,,„ = 5 Вт...........(1,2+7I6)0« 2Т913В при Рвых=10 Вт..........(1,2+714) Ом Предельные эксплуатациоииые данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лэб = 10 Ом: 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В: при Гк < 398 К............. 55 В 0 ... 228229230231232233234 ... 297 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||